[发明专利]对于过程、温度和电压变化而具有稳定频率的CMOS振荡器

权利要求书

1.一种电子电路，包括：

电平移位器，具有第一输入、第二输入、第一输出和第二输出；

第一电流饥饿型反相器，被耦合以驱动所述第一输入；

第一电容器，被耦合在所述第一输入与参考供应节点之间；

第二电流饥饿型反相器，被耦合以驱动所述第二输入；

第二电容器，被耦合在所述第二输入与所述参考供应节点之间；

第一缓冲器电路，耦合到所述第一电流饥饿型反相器；

第二缓冲器电路，耦合到所述第二电流饥饿型反相器；

其中所述第一电流饥饿型反相器和所述第二电流饥饿型反相器由偏置电流偏置；

其中所述第二输出被耦合到所述第一电流饥饿型反相器的输入；

其中所述第一输出被耦合到所述第二电流饥饿型反相器的输入；以及

偏置生成器电路，被配置为产生所述偏置电流；所述偏置生成器电路产生与MOS晶体管阈值电压成比例的所述偏置电流。

2.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述偏置生成器电路包括：

第一导电类型的第一MOS晶体管；

所述第一导电类型的第二MOS晶体管，与所述第一MOS晶体管级联耦合；

第二导电类型的第三MOS晶体管，与所述第二MOS晶体管级联耦合，所述第三MOS晶体管产生与所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的阈值电压成比例的校正电流；以及

电流镜电路，被配置为根据所述校正电流产生所述偏置电流。

3.根据权利要求2所述的电子电路，其中所述偏置生成器电路还包括：求和电路，被配置为将固定电流添加至所述校正电流以生成所述偏置电流。

4.根据权利要求1所述的电子电路，其中：

所述第一缓冲器电路被耦合在所述第二输出与所述第一电流饥饿型反相器的输入之间；以及

所述第二缓冲器电路被耦合在所述第一输出与所述第二电流饥饿型反相器的输入之间。

5.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述MOS晶体管阈值电压是nMOS晶体管的阈值电压。

6.根据权利要求5所述的电子电路，其中所述nMOS晶体管是在所述电平移位器中的下拉晶体管，所述nMOS晶体管由所述第一输入控制、并且被耦合在所述第一输出与所述参考供应节点之间。

7.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述偏置发生器电路包括：

晶体管电路，被配置为在节点处生成响应于过程和温度的改变的电压；

电流生成器，被耦合到所述晶体管电路、并且被配置为生成与在所述节点处的电压对应的校正电流；以及

转换电路，被耦合到所述电流生成器、并且被配置为将所述校正电流转换为所述偏置电流。