[发明专利]具有表面碳纳米墙的硅基负极材料及其制备方法和电池在审

专利信息
申请号: 201811176290.X 申请日: 2018-10-10
公开(公告)号: CN110034284A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 刘柏男;罗飞;陆浩;褚赓 申请(专利权)人: 溧阳天目先导电池材料科技有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;H01M4/131;H01M4/134;B82Y40/00
代理公司: 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 代理人: 李楠
地址: 213300 江苏省常州市溧阳市昆仑街道*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 硅基负极 硅基材料 碳材料 电化学活性 氧化亚硅 表面碳 制备 电池 表面原位生长 碳复合材料 粉体材料 无定型硅 纳米硅 石墨烯 碳纳米 衍射峰 改性 晶态 合金 图谱 复合
【权利要求书】:

1.一种具有表面碳纳米墙的硅基负极材料,其特征在于,所述硅基负极材料由90wt%-99.9wt%的硅基材料与0.1wt%-10wt%的在所述硅基材料表面原位生长的碳材料纳米墙复合而成;

所述硅基材料为含有电化学活性硅的粉体材料,包括纳米硅碳复合材料、氧化亚硅材料、改性氧化亚硅材料和无定型硅合金的一种或者几种的混合;所述电化学活性硅占所述硅基材料的0.1wt%-90wt%;

所述碳材料纳米墙包括碳纳米墙和/或石墨烯纳米墙;

所述硅基负极材料的拉曼图谱中在510±10cm-1具有晶态峰;碳材料纳米墙的g/d值为0.30以上、0.70以下;其中,所述g/d值为拉曼图谱中石墨结构的G线波数峰值和缺陷产生的D线波数峰值的比值;所述硅基负极材料的X射线衍射图谱中在28.4°±0.2°具有衍射峰。

2.根据权利要求1所述的具有表面碳纳米墙的硅基负极材料,其特征在于,所述碳材料纳米墙的高度为5-50nm,厚度为1-10nm。

3.根据权利要求1所述的具有表面碳纳米墙的硅基负极材料,其特征在于,所述硅基负极材料的平均粒径在50纳米-40微米之间。

4.根据权利要求3所述的具有表面碳纳米墙的硅基负极材料,其特征在于,所述具有表面碳纳米墙的硅基负极材料的平均粒径在1微米-20微米之间。

5.一种上述权利要求1-4任一所述的具有表面碳纳米墙的硅基负极材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

按所需质量比选取硅基材料;其中,所述硅基材料为含有电化学活性硅的粉体材料,包括纳米硅碳复合材料、氧化亚硅材料、改性氧化亚硅材料和无定型硅合金的一种或者几种的混合;所述电化学活性硅占所述硅基材料的0.1wt%-90wt%;

将所述硅基材料置于高温反应炉内,在保护气氛下升温至950℃-1200℃,按照所需比例通入碳源气体,保温0.5-8小时;所述碳源气体为烯烃、烷烃中的一种或者几种的混合。

停止通入所述碳源气体并降至室温,得到所述硅基负极材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述烯烃包括乙烯、丙烯中的一种或混合;所述烷烃包括甲烷、乙烷、丙烷中的一种或多种混合。

7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述保护气氛为氮气、氩气、氢气、氦气、氖气中的一种或者几种的混合;

所述保护气氛与碳源气体的体积比为0.1:9.9-9.9:0.1。

8.一种包括上述权利要求1-4任一所述的硅基负极材料的负极极片。

9.一种包括上述权利要求1-4任一所述的硅基负极材料的锂离子电池。

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