[发明专利]一种高低电压通用的静电保护的静电阻抗器结构

权利要求书

1.所述的高低电压通用的静电保护的静电阻抗器，其特征在于：结构包括RC器件组件，反相器及二极管组件，晶体管组件，其中RC器件组件包含串联的电阻R31和电容C32，电阻R31的一端接电源VDD，电阻R31的另一端接A节点，电容C32的一端接A节点，电容C32的另一端接GND接地端，反相器及二极管组包含反相器INV31和反相器INV32以及二极管D31，INV11的输入端口接B节点，反相器INV32的输入端接反相器INV31的输出端，反相器INV32的输出端连接C节点，二极管D31正极接C节点，二极管D31负极接GND接地端；晶体管组件，包含PMOS管M31和NMOS管M32，PMOS管M31的源级连接VDD电源端，PMOS管M31的漏极连接B节点，PMOS管M31的栅极连接A节点，NMOS管M32的漏极连接VDD电源端，NMOS管M32的源级连接GND接地端，NMOS管M32的栅极连接C节点。

2.根据权利要求项1所述，电源VDD的静电信号携带能量不足以使二极管D31上的电压开启反相器INV31时，PMOS管M31将通过二极管D31向地端口GND放电，当电源VDD的静电信号电压足以使二极管D31上的电压开启反相器INV31时，反相器组件开启，反相器INV32的输出端开启NMOS管M32，NMOS管M32导通后对接地端GND放电，同时PMOS管M31，通过二极管D31向地端口GND放电。

3.根据权利要求项1，2所述，一种高低电压通用的静电保护的静电阻抗器(ESD)结构，其特征在于：可以使用半导体工艺包括CMOS，GsAs、BiCMOS实现片上集成，也可以使用分立器件片外实现。

4.根据权利要求项1，2所述，反相器用CMOS反相器结构。