[发明专利]宽带射频、微波或者毫米波混频器系统有效
| 申请号： | 201811176787.1 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN109379048B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 王旭东;威廉·B.·贝克威思;托马斯·E.·席尔茨 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14;H03H7/42;H03H11/32;H01P5/10 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 汪晶晶 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽带 射频 微波 或者 毫米波 混频器 系统 | ||
1.一种宽带射频、微波或者毫米波混频器系统，其特征在于，所述混频器系统包括：
第一平衡-不平衡转换器，所述第一平衡-不平衡转换器具有：
不平衡端口；
平衡端口；
彼此紧密且反向地磁耦合的第一电感器和第二电感器；以及
不磁耦合至所述第一电感器或者所述第二电感器的第三电感器；以及，混频器，所述混频器连接至所述第一平衡-不平衡转换器的所述平衡端口，
其中，包括三个电感器的所述第一平衡-不平衡转换器、以及所述混频器均集成到形成集成电路的单个衬底上，
所述第一电感器和所述第三电感器串联连接，且
所述平衡端口包括电连接至所述第一电感器与所述第三电感器的连接点的端口。
2.根据权利要求1所述的混频器系统，其特征在于，所述不平衡端口是到所述混频器的输入。
3.根据权利要求1所述的混频器系统，其特征在于，所述不平衡端口是来自所述混频器的输出。
4.根据权利要求1所述的混频器系统，其特征在于，所述混频器系统还包括耦合到所述混频器的第二平衡-不平衡转换器。
5.根据权利要求4所述的混频器系统，其特征在于，所述第一平衡-不平衡转换器耦合到所述混频器的射频RF输入端口，且所述第二平衡-不平衡转换器耦合到所述混频器的本地振荡器LO端口。
6.根据权利要求4所述的混频器系统，其特征在于，所述混频器系统还包括耦合到所述混频器的第三平衡-不平衡转换器。
7.根据权利要求6所述的混频器系统，其特征在于，所述第一平衡-不平衡转换器耦合到所述混频器的射频RF输入端口，所述第二平衡-不平衡转换器耦合到所述混频器的本地振荡器LO端口，且所述第三平衡-不平衡转换器耦合到所述混频器的中频IF端口。
8.根据权利要求1所述的混频器系统，其特征在于，所述混频器系统还包括与所述第一电感器串联的电容。
9.根据权利要求1所述的混频器系统，其特征在于，所述混频器系统还包括：将所述第三电感器与地直流隔离的第三电容。
10.根据权利要求1所述的混频器系统，其特征在于，所述混频器系统还包括：在所述第一平衡-不平衡转换器与所述混频器之间的放大器。
11.根据权利要求10所述的混频器系统，其特征在于，所述放大器为差分放大器。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的混频器系统，其特征在于，所述三个电感器均位于同一平面中。
13.根据权利要求1-11中任一项所述的混频器系统，其特征在于，所述第一电感器和所述第二电感器位于不同平面中。
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