[发明专利]抗PID光伏组件及其制备工艺在审
申请号: | 201811177078.5 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN109301012A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 柯文明;余飞;高真 | 申请(专利权)人: | 黄石金能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18;H02S30/10;H02S40/34 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 梁斌 |
地址: | 435000 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装胶膜 太阳能电池 光伏组件 密封组件 背板 绝缘边框 前板玻璃 制备工艺 接线盒 太阳能电池技术 安装方便 端部连接 电连接 轻质 保证 | ||
本发明公开了抗PID光伏组件及其制备工艺,涉及太阳能电池技术领域。本发明提供的抗PID光伏组件包括绝缘边框、前板玻璃、第一封装胶膜、太阳能电池、第二封装胶膜、密封组件、第三封装胶膜、背板和接线盒,前板玻璃通过第一封装胶膜设置于太阳能电池,太阳能电池通过第二封装胶膜设置于密封组件,密封组件通过第三封装胶膜设置于背板,绝缘边框的数量为两个,且两个绝缘边框分别与前板玻璃、密封组件和背板的端部连接,接线盒设置于背板远离第三封装胶膜的一侧上,且接线盒与太阳能电池电连接。本发明提供的抗PID光伏组件及其制备工艺具有结构简单、安装方便和轻质的特点,能够改善或消除PID效应,进而保证组件的性能。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及抗PID光伏组件及其制备工艺。
背景技术
分布式光伏发电具有因地制宜、清洁高效、就近消纳等特点,是一种具有广阔发展前景的发电和能源综合利用方式;其中,最为广泛的应用方式是利用建筑闲置屋面建设光伏发电项目。光伏发电系统的太阳能电池组件通常是较低成本和较高转化效率的晶硅组件。
现有常规晶体硅双玻组件重量通常在23kg以上,重量相对较轻的单玻组件重量也在18kg~20kg左右,在承重能力较弱的屋顶等项目中,这些组件的重量限制了其实际需求。同时,由于潜在电势诱导衰减(Potential Induced Degradation,PID)现象的存在,组件长期在电站系统对地高偏压作用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流,大量的电荷聚集在电池表面,让得电池表面钝化效果恶化,最终导致Isc(短路电流)、Voc(开路电压)降低,使光伏组件性能低于设计标准。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抗PID光伏组件,其具有结构简单、安装方便和轻质的特点,能够改善或消除PID效应,进而保证组件的性能。
本发明提供一种关于抗PID光伏组件的技术方案:
一种抗PID光伏组件,包括绝缘边框、前板玻璃、第一封装胶膜、太阳能电池、第二封装胶膜、密封组件、第三封装胶膜、背板和接线盒,所述前板玻璃通过所述第一封装胶膜设置于所述太阳能电池,所述太阳能电池通过所述第二封装胶膜设置于所述密封组件,所述密封组件通过所述第三封装胶膜设置于所述背板,所述绝缘边框的数量为两个,且两个所述绝缘边框分别与所述前板玻璃、所述密封组件和所述背板的端部连接,所述接线盒设置于所述背板远离所述第三封装胶膜的一侧上,且所述接线盒与所述太阳能电池电连接。
进一步地,所述绝缘边框包括本体和设置于所述本体两端端部的第一限位部和第二限位部,所述本体与所述前板玻璃、所述密封组件和所述背板的端部连接,所述第一限位部与所述前板玻璃连接,所述第二限位部与所述背板连接。
进一步地,所述抗PID光伏组件还包括焊带,所述太阳能电池的数量为多个,多个所述太阳能电池通过所述焊带依次串联。
进一步地,所述密封组件包括密封胶层和防水层,所述防水层的相对的两个侧面分别与所述第二封装胶膜和所述第三封装胶膜贴合,所述密封胶层靠近所述绝缘边框的一侧与所述绝缘边框连接,所述密封胶层的另一侧与所述第一封装胶膜、所述第二封装胶膜、所述防水层和所述第三封装胶膜连接。
进一步地,所述密封胶层的靠近所述背板的端部与所述背板连接,所述密封胶层的另一端与所述前板玻璃连接。
进一步地,所述防水层包括聚甲基丙烯酸甲酯层和二聚对苯二甲酸乙二酯层,所述聚甲基丙烯酸甲酯层位于二所述聚对苯二甲酸乙二酯层之间并分别与二所述聚对苯二甲酸乙二酯层贴合,二所述聚对苯二甲酸乙二酯层远离所述聚甲基丙烯酸甲酯层的侧面分别与所述第二封装胶膜和所述第三封装胶膜贴合。
进一步地,所述密封胶层由丁基密封胶制成。
进一步地,所述第一封装胶膜、所述第二封装胶膜和所述第三封装胶膜中至少一个由聚烯烃弹性体材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的