[发明专利]一种增强型区域消光的二维正交偏振结构在审
| 申请号： | 201811177086.X | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109212829A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王书昶;陈虎;孙智江 | 申请（专利权）人： | 江苏如高第三代半导体产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13357 | 分类号： | G02F1/13357;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 徐文 |
| 地址： | 226500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片单元 偏振单元 正方形阵列 正交偏振 背光源 偏振层 增强型 二维 消光 隔离 偏振方向正交 独立控制 封装形式 显示分区 点光源 | ||
【权利要求书】：
1.一种增强型区域消光的二维正交偏振结构，其特征在于：包括背光源，所述背光源包括PCB板、WLP封装形式的LED芯片、白墙和下偏振层；
以一个或一个以上LED芯片为一个芯片单元，所述芯片单元外侧围设置将芯片单元隔离在内的白墙，所述白墙将芯片单元隔离成若干第一正方形阵列；
所述下偏振层具有若干呈第二正方形阵列的偏振单元，且层内相邻偏振单元的偏振方向正交；
所述偏振单元位于芯片单元的正上方，且一一对应。
2.根据权利要求1所述的增强型区域消光的二维正交偏振结构，其特征在于：所述第一、二正方形阵列的正投影重合。
3.根据权利要求1所述的增强型区域消光的二维正交偏振结构，其特征在于：所述背光源上方设置有显示模组，所述显示模组包括液晶层和上偏振层，所述上偏振层具有若干呈第三正方形阵列的偏振单元，所述上偏振层内相邻偏振单元的偏振方向正交，且所述上偏振层与下偏振层中上下一一对应的偏振单元的偏振方向正交。
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