[发明专利]一种用于光电催化的三维花状的CuWO4

权利要求书

1.一种用于光电催化的三维花状的CuWO₄/NiOOH薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将偏钨酸铵加入到无水乙醇中，室温下磁力搅拌，加入氯化铜，继续搅拌后得到CuWO₄前驱体溶胶；

(2)将干净的FTO导电玻璃在步骤(1)中制得的CuWO₄前驱体溶胶中浸渍后提拉，干燥；重复镀膜，将完成二次镀膜的FTO导电玻璃干燥；将烘干的样品退火处理，得到CuWO₄薄膜；

(3)通过NiSO₄制得NiOOH沉积液；

(4)以步骤(2)制得的CuWO₄薄膜为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，电解液为步骤(3)所制得的NiOOH沉积液，进行电化学沉积处理，得到CuWO₄/NiOOH，其中：NiOOH沉积液的浓度为0.1～0.2mol·L^-1，电化学沉积处理的沉积电流为0.5mA/cm²，沉积时间为10～20min；随后将CuWO₄/NiOOH用无水乙醇、蒸馏水反复冲洗，烘干，得到三维花状的CuWO₄/NiOOH复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种用于光电催化的三维花状的CuWO₄/NiOOH薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，偏钨酸铵的用量为1.48～4.43g，无水乙醇用量为50mL，磁力搅拌条件为10-15min，氯化铜用量为0.09～0.26g，继续搅拌条件为1～2h，得到的CuWO₄前驱体浓度为0.01～0.03mol·L^-1。

3.根据权利要求1所述的一种用于光电催化的三维花状的CuWO₄/NiOOH薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，FTO导电玻璃以1mm/s的速度浸渍15～30s；干燥条件为置于80℃烘箱，其中完成二次镀膜的FTO导电玻璃干燥1～4h；退火处理条件为置于500℃～550℃马弗炉2h。

4.根据权利要求1所述的一种用于光电催化的三维花状的CuWO₄/NiOOH薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，将1.58～3.16g NiSO₄溶于60mL的蒸馏水中，室温下搅拌30min，得到均匀透明的NiOOH沉积液，浓度为0.1～0.2mol·L^-1。

5.根据权利要求1所述的一种用于光电催化的三维花状的CuWO₄/NiOOH薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(4)中，烘干条件为置于60℃烘箱。