[发明专利]一种压接式双芯GCT的封装结构

权利要求书

1.一种压接式双芯GCT的封装结构，其特征在于：由上至下依次由金属管盖(1)、阳极钼片(2)、双芯GCT芯片(3)、阴极钼片(4)、内门极套件(6)与外门极套件(7)、金属管座(8)压接而成；内门极套件(6)位于外门极套件(7)内部空腔之中，在外圆表面，内门极套件(6)和外门极套件(7)共同向上与金属管盖(1)之间设置有上陶瓷环(5-1)；内门极套件(6)和外门极套件(7)共同向下与金属管座(8)之间设置有下陶瓷环(5-2)；

所述的双芯GCT芯片(3)上表面为金属化阳极A，金属化阳极A向上与阳极钼片(2)紧密接触，阳极钼片(2)向上压接有金属管盖(1)；在双芯GCT芯片(3)下表面设置有按同心环均匀分布的上千个指状阴极条和呈环形分布的内门极G_A和外门极G_B；内门极G_A向下与内门极金属环(6-1)相接触，外门极G_B向下与外门极金属环(7-1)相接触，每个门极金属环配套有相应的门极套件；内门极G_A以内的阴极条与其下方的阴极内钼片(4-1)相接触，内门极G_A以外的阴极条与其下方的阴极外钼片(4-2)相接触；阴极内钼片(4-1)和阴极外钼片(4-2)下方与金属管座(8)压接接触。

2.根据权利要求1所述的压接式双芯GCT的封装结构，其特征在于：所述的内门极套件(6)包括内环形绝缘座(6-3)，内环形绝缘座(6-3)的直径一侧外圆面向上开口均匀设置有多个凹槽一(6-3-1)，内环形绝缘座(6-3)的圆周开有深槽，该深槽中套装有内门极金属环(6-1)，内门极金属环(6-1)下端与深槽槽底之间设置有内弹性垫片(6-2)，内门极金属环(6-1)及其下方的内弹性垫片(6-2)的直径与内门极G_A的直径相同，内门极金属环(6-1)上端面与GCT-A的内门极G_A接触，每个凹槽一(6-3-1)与内门极引出端(6-4)上的一个辐条一内端套接；每个辐条一的截面均为矩形并呈辐射状均匀分布，每个辐条一宽度小于凹槽一(6-3-1)的宽度，使辐条一的内端头卡在凹槽一(6-3-1)内，各个辐条一的外端头连成一个半圆环作为内门极引出端(6-4)。

3.根据权利要求2所述的压接式双芯GCT的封装结构，其特征在于：所述的外门极套件(7)包括外环形绝缘座(7-3)，外环形绝缘座(7-3)的上端面设置有环形槽，环形槽中安装有外门极金属环(7-1)，外门极金属环(7-1)与环形槽槽底之间设置有外弹性垫片(7-2)，外门极金属环(7-1)及其下方的外弹性垫片(7-2)的直径与外门极G_B的直径相同，外门极金属环(7-1)上端面与GCT-B的外门极G_B接触；外环形绝缘座(7-3)主体直径一侧上沿均匀分布有多个凹槽二(7-3-1)，该直径另一侧下沿均匀分布有多个凹槽三(7-3-2)；凹槽二(7-3-1)中安装有外门极引出端(7-4)的辐条二，多个辐条二的截面均为矩形并呈辐射状均匀分布，且辐条二两端不在同一个平面内，弯曲成“Z”字形，辐条二宽度小于凹槽二(7-3-1)宽度，使辐条二内端头卡在凹槽二(7-3-1)内，各个辐条二的外端头连成一个半圆环作为外门极引出端(7-4)，将GCT-B的门极信号引出至管壳外围；外环形绝缘座(7-3)下方的凹槽三(7-3-2)与内门极引出端(6-4)上的辐条一套接并与凹槽一(6-3-1)沿径向一一对应，使辐条一的内端头压接在凹槽一(6-3-1)中，辐条一的外端头靠近半圆环处与凹槽三(7-3-2)相压接。

4.根据权利要求3所述的压接式双芯GCT的封装结构，其特征在于：所述的外环形绝缘座(7-3)上端面的结构是，与内环形绝缘座(6-3)相比，外环形绝缘座(7-3)上端面的环形槽较浅，且外环形绝缘座(7-3)的底部较厚。

5.根据权利要求3所述的压接式双芯GCT的封装结构，其特征在于：所述的外环形绝缘座(7-3)下端面的结构是，在较厚的实心底部与上端面凹槽二(7-3-1)对应的直径另一侧沿径向均匀分布多个凹槽三(7-3-2)，凹槽三(7-3-2)的深度小于外环形绝缘座(7-3)底部壁厚，且大于内门极引出端(6-4)的辐条一的厚度。

6.根据权利要求4所述的压接式双芯GCT的封装结构，其特征在于：所述的内环形绝缘座(6-3)和外环形绝缘座(7-3)均选用聚苯硫醚绝缘材料，内门极引出端(6-4)和外门极引出端(7-4)及其辐条均为金属材料。