[发明专利]一种提取碳化硅逆变器的寄生参数的方法

权利要求书

1.一种提取碳化硅逆变器的寄生参数的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)获得碳化硅逆变器的物理结构参数，并由此建立逆变器的三维模型，从而得到基础三维模型；

(2)在所述基础三维模型中设置导体的材料属性以及电流流入位置和电流流出位置；仿真电路运行情况，以分别提取直流母排正负极板的寄生电感和寄生电阻，以及各开关管的寄生电感和寄生电阻；

(3)在所述基础三维模型中设置导体的材料属性，并分别设置正直流母线与参考地之间、负直流母线与参考地之间以及逆变器各桥臂中点与散热器之间的电压差；仿真电路运行情况，以提取正直流母线与参考地之间、负直流母线与参考地之间以及逆变器各桥臂中点与散热器之间的寄生电容；

其中，所述碳化硅逆变器中各开关管均为碳化硅MOSFET；所述步骤(2)中，提取直流母排正负极板的寄生电感和寄生电阻，以及各开关管的寄生电感和寄生电阻，包括：

对于任意一相桥臂，将桥臂上开关管漏极至正直流母线之间的桥臂部分划分为第一段，将桥臂上开关管源极至桥臂中点之间的桥臂部分划分为第二段，将桥臂下开关管漏极至桥臂中点之间的桥臂部分划分为第三段，将桥臂下开关管源极至负直流母线之间的桥臂部分划分为第四段；分别提取每一段的寄生参数。

2.如权利要求1所述的提取碳化硅逆变器的寄生参数的方法，其特征在于，所述步骤(2)和所述步骤(3)中，所设置的导体的材料属性为导体的电导率。

3.如权利要求1所述的提取碳化硅逆变器的寄生参数的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，建立逆变器的三维模型时所采用的三维建模软件为Solidworks。

4.如权利要求1所述的提取碳化硅逆变器的寄生参数的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，分别提取直流母排正负极板的寄生电感和寄生电阻，以及各开关管的寄生电感和寄生电阻时，所采用的有限元场求解器为Ansys Q3D。

5.如权利要求1所述的提取碳化硅逆变器的寄生参数的方法，其特征在于，所述步骤(3)中，提取正直流母线与参考地之间、负直流母线与参考地之间以及逆变器各桥臂中点与散热器之间的寄生电容时，所采用的电磁场分析软件为Ansoft Maxwell。