[发明专利]光刻胶显影剂

说明书

一种光刻胶显影剂，包含具有25<δ_d<15、25<δ_p<10和30<δ_h<6的汉森(Hansen)溶解度参数的溶剂；具有‑15<pK_a<4的酸解离常数pK_a的酸或具有40>pK_a>9.5的pK_a的碱；以及螯合物。

技术领域

本发明实施例有关于光刻胶显影剂组合物和将半导体制造制程中所使用的光刻胶显影的方法。

背景技术

随着消费者装置因应消费者需求而变得越来越小，这些装置的各个组件的尺寸也必然缩小。半导体装置，其构成例如移动电话、电脑平板和前述类似装置的主要组件，已经受到压力而变得越来越小，半导体装置内的各个装置(例如，晶体管、电阻器、电容器等)也伴随着相应的压力而缩小尺寸。

在半导体装置的制造制程中所使用的一种赋能技术(enabling technology)是使用光刻材料。将这样的材料施加于待图案化的膜层的表面，然后曝光于使其本身图案化的能量。这样的曝光修饰了感光材料的曝光区的化学和物理性质。此修饰以及在感光材料的未曝光区域中的修饰的缺乏，可用来移除一区域而不会移除另一区域，或反的亦然。

然而，由于各个装置的尺寸已经缩小，光刻制程的制程裕度(process window)已变得越来越紧。因此，光刻制程领域的进步对于保持将装置微缩化的能力而言是必要的，并且需要进一步改良，以满足期望的设计标准，使得可保持朝向越来越小的组件前进。

随着半导体工业发展到纳米技术制程节点，以追求更高的装置密度，更高性能和更低成本，在缩小半导体的部件尺寸中一直存在着挑战。

发明内容

根据一些实施例，提供一种光刻胶显影剂。此光刻胶显影剂包含具有25<δ_d<15、25<δ_p<10和30<δ_h<6的汉森(Hansen)溶解度参数的第一溶剂；具有-15<pK_a<4的酸解离常数pK_a的酸或具有40>pK_a>9.5的pK_a的碱；以及螯合物。

根据一些实施例，提供一种在光刻胶中形成图案的方法。此方法包含形成光刻胶层于基底上，且选择性地使光刻胶层曝光于光化辐射，以形成潜在图案。通过将显影剂施加于经选择性曝光的光刻胶层，将潜在图案显影，以形成图案。其中显影剂包含具有25<δ_d<15、25<δ_p<10和30<δ_h<6的汉森(Hansen)溶解度参数的溶剂；具有-15<pK_a<4的酸解离常数pK_a的酸，或具有40>pK_a>9.5的pK_a的碱；以及螯合物。

根据一些实施例，提供一种在光刻胶中形成图案的方法。此方法包含在基底上形成光刻胶层。选择性地使光刻胶层曝光于光化辐射，借此在光刻胶层曝光于光化辐射的区域中，使光刻胶层交联。通过将液体显影剂施加于光刻胶层，将光刻胶层显影，来除去光刻胶层曝光于光化辐射的区域。

附图说明

通过以下的实施方式配合附图，可以更加理解本发明实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制且仅为说明的目的。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1示出根据本发明的实施例的制造半导体装置的制程流程。

图2显示出根据本发明的实施例的连续步骤的制程阶段。