[发明专利]对被处理体进行处理的方法有效
申请号: | 201811179357.5 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN109659254B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 森泽大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 进行 方法 | ||
本发明提供一种对被处理体进行处理的方法。提供在串行地执行多个工艺的情况下能够灵活地设定执行工艺的顺序、执行工艺的定时等工艺的执行方式的技术。一个实施方式所涉及的对被处理体进行处理的方法具备包括主工艺和第一~第M副工艺并串行地执行多个工艺的工序,表示主工艺的一次执行的指标值在每次执行主工艺时被累加,主工艺被执行多次,第i副工艺(1≤i≤M)被执行一次或多次,第i副工艺在从工序开始起累加的指标值的累计满足可变的第i应用条件的情况下被应用,第i副工艺在从最后被执行的副工艺的执行时(在工序中未执行副工艺的情况下为工序开始时)起累加得到的指标值的合计满足可变的第i执行条件的时间点被执行。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种对被处理体进行处理的方法。
背景技术
在半导体设备的制造工序中,针对晶圆依次执行蚀刻、成膜等各种工艺。在制造工序的前后进行处理室内的清洁。在各工艺执行后,对在该工艺的执行中使用的气体进行吹扫。
在专利文献1中公开了如下一种技术:用于通过将按每一批次进行的气体清洁按每多个批次进行来缩短气体清洁准备时间并提高生产率。在专利文献2中公开了一种通过进行与处理的类型相应的清洁来按每个处理的类型进行清洁的技术。在专利文献3中公开了一种以在批次切换时以适当的清洁条件和适当的定时进行清洁为目的的技术。
专利文献1:日本特开平10-149990号公报
专利文献2:日本特开2007-250791号公报
专利文献3:日本特开2010-98053号公报
发明内容
在半导体设备的制造工序中串行(serial)地执行多个工艺的情况下,执行工艺的顺序、执行工艺的定时等工艺的执行方式能够对半导体设备的制造效率等带来影响。因而,期望一种在串行地执行多个工艺的情况下能够灵活地设定执行工艺的顺序、执行工艺的定时等工艺的执行方式的技术。
在一个方式中,提供一种对被处理体进行处理的方法。该方法具备串行(serial)地执行包括主工艺和第一副工艺~第M副工艺(M为正整数)的多个工艺的工序(以下称为工序A),表示主工艺的一次执行的指标值在每次执行主工艺时被累加,主工艺在工序A中被执行多次,第i副工艺(i为满足1≤i≤M的正整数)在工序A中被执行一次或多次,第i副工艺继主工艺的一次或连续多次的执行之后被执行,在从工序A开始起累加的指标值的累计满足第i应用条件的情况下,第i副工艺在工序A中被应用,在从工序A开始起累加的指标值的累计满足第i应用条件的情况下,第i副工艺在工序A开始后存在已经执行的副工艺时从最后被执行的副工艺的执行时起累加得到的指标值的合计满足第i执行条件的时间点被执行,或者,第i副工艺在工序A开始后不存在已经执行的副工艺时从工序A开始时起累加得到的指标值的合计满足第i执行条件的时间点被执行。第i应用条件和第i执行条件均能够变更。此外,串行地执行工艺是指,多个工艺被依次、逐次(串联式)地执行,更具体地说,是指在一个工艺的执行结束的时间点开始执行下一个工艺的方式。
在一个实施方式中,第k应用条件(k为满足1≤k≤M-1的正整数)为从工序A开始起累加的指标值的累计值α满足L(k-1)α≤L(k),L(k-1)、L(k)均为0以上的实数,并满足L(k-1)L(k),第一副工艺~第M副工艺中的、在工序A中最后应用的第M副工艺的第M应用条件为从工序A开始起累加的指标值的累计值α满足L(M-1)α。
在一个实施方式中,第i执行条件为,在工序A开始后存在已经执行的副工艺的情况下,从最后被执行的副工艺的执行时起累加得到的指标值的合计值β满足βK(i),或者在工序A开始后不存在已经执行的副工艺的情况下,从工序A开始时起累加得到的指标值的合计值β满足βK(i),K(i)为正的实数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造