[发明专利]用于检测集成电路中的差分故障分析攻击和对衬底的减薄的方法以及相关集成电路

权利要求书

1.一种用于检测对集成电路的攻击的方法，其中所述集成电路包括：

第一半导体阱，位于具有背面的半导体衬底内，所述第一半导体阱包括电路部件；以及

第二半导体阱，位于所述半导体衬底内，所述第二半导体阱与所述第一半导体阱以及所述半导体衬底的其余部分绝缘；

所述方法包括：

通过检测不存在响应于所施加的偏置而在所述第二半导体阱中流动的电流，来检测经由所述背面对所述半导体衬底的减薄；以及

通过在不存在所施加的偏置的情况下检测在所述第二半导体阱中流动的电流，来检测差分故障分析DFA攻击，其中没有检测到对所述半导体衬底的所述减薄。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述差分故障分析攻击向所述半导体衬底施加辐射，并且在不存在所施加的偏置的情况下在所述第二半导体阱中流动的所述电流是响应于所施加的辐射而产生的光电流。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括：在所述第二半导体阱处的两个端子之间施加所述偏置，并且感测所述两个端子之间的电流流动以用于检测所述减薄。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述方法进一步包括：终止所述偏置的施加并且感测所述两个端子之一处的电流流动，以用于检测所述差分故障分析攻击。

5.一种集成电路，包括：

半导体衬底，其具有背面；

第一半导体阱，位于所述半导体衬底中，所述第一半导体阱包括电路部件；

第二半导体阱，位于所述半导体衬底中，所述第二半导体阱与所述第一半导体阱以及所述衬底的其余部分绝缘；

其中，所述第二半导体阱包括检测设备，所述检测设备可配置成在第一配置中操作以检测经由所述背面对所述半导体衬底的减薄，并且在第二配置中操作以检测通过向所述集成电路中的故障注入而进行的差分故障分析DFA攻击。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中：

所述检测设备的所述第一配置通过检测不存在响应于所施加的偏置而在所述第二半导体阱中流动的电流，来检测经由所述背面对所述半导体衬底的减薄；以及

所述检测设备的所述第二配置通过在不存在所施加的偏置的情况下检测在所述第二半导体阱中流动的电流，来检测所述差分故障分析攻击，其中没有检测到对所述半导体衬底的所述减薄。

7.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述半导体衬底具有与所述背面相对的正面，并且所述检测设备包括：

第一隔离沟槽，其在所述第二半导体阱的外围的两个位置之间延伸到所述第二半导体阱中，所述第一隔离沟槽具有距所述正面的深度，所述第一隔离沟槽与所述第二半导体阱的底部相隔一定距离；以及

检测电路，其在所述第一配置中操作，以测量表示分别位于所述第一隔离沟槽的相对侧上的两个接触区域之间的所述第二半导体阱的电阻的物理量，并且在所述第二配置中操作，以检测在所述两个接触区域之间流动的电流的存在。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述检测电路包括：

偏置电路，其被配置为在所述两个接触区域之间施加电位差；以及

比较电路，其被配置为测量在所述两个接触区域之间流动的所述电流。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述检测电路包括控制电路，所述控制电路被配置为通过启用所述偏置电路来将所述检测设备初始地置于所述第一配置中，并且随后在检测到所述半导体衬底的未减薄之后从所述第一配置切换到所述第二配置。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述切换包括：禁用所述偏置电路，并且使用所述比较电路来测量所述第一配置和所述第二配置中的电流。

11.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述半导体衬底具有第一导电类型，所述第一半导体阱具有第二导电类型，并且所述第二半导体阱具有所述第一导电类型。