[发明专利]半导体制造装置以及制造存储器件的方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，包括：

转移室，配置为转移基板；

第一工艺室，连接到所述转移室，所述第一工艺室配置为在第一温度执行用于氧化所述基板上的第一金属层的第一氧化工艺；以及

第二工艺室，连接到所述转移室，所述第二工艺室配置为在高于所述第一温度的第二温度执行用于氧化所述基板上的第二金属层的第二氧化工艺。

2.如权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述第一工艺室配置为在室温操作。

3.如权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述第一工艺室还配置为执行用于在所述基板上沉积所述第一金属层的第一沉积工艺。

4.如权利要求1所述的半导体制造装置，其中

所述第一工艺室包括用于将氧气供应到所述第一工艺室中的第一气体供应器，并且

所述第一气体供应器配置为以0.01sccm和10sccm之间的流速供应所述氧气以执行所述第一氧化工艺。

5.如权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述第二工艺室配置为以50℃和400℃之间的第二温度操作。

6.如权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述第二工艺室还配置为执行用于在所述基板上沉积所述第二金属层的第二沉积工艺。

7.如权利要求1所述的半导体制造装置，其中

所述第二工艺室包括用于将氧气供应到所述第二工艺室中的第二气体供应器，并且

其中所述第二气体供应器配置为以0.1sccm至100sccm之间的流速供应所述氧气以执行所述第二氧化工艺。

8.如权利要求1所述的半导体制造装置，其中

所述第二工艺室包括用于支撑所述基板的基板支架，并且

所述基板支架包括加热器。

9.如权利要求1所述的半导体制造装置，还包括：

第三工艺室，连接到所述转移室，其中

所述第三工艺室配置为执行用于在所述基板上沉积所述第一金属层和/或所述第二金属层的沉积工艺。

10.一种半导体制造装置，包括：

第一工艺室，配置为在第一温度操作，所述第一工艺室配置为通过将氧气注入到所述第一工艺室中而执行用于氧化基板上的第一金属层的第一氧化工艺；

第二工艺室，配置为在高于所述第一温度的第二温度操作，所述第二工艺室配置为通过将氧气注入到所述第二工艺室中而执行用于氧化提供在被氧化的第一金属层上的第二金属层的第二氧化工艺，所述第二金属层包括与所述第一金属层相同的材料；以及

转移室，连接到所述第一工艺室和所述第二工艺室，所述转移室配置为将所述基板从所述第一工艺室转移到所述第二工艺室。

11.如权利要求10所述的半导体制造装置，其中所述第一工艺室还配置为执行用于沉积所述第一金属层的第一沉积工艺。

12.如权利要求11所述的半导体制造装置，其中所述第一工艺室配置为顺序地且重复地执行所述第一沉积工艺和所述第一氧化工艺至少两次。

13.如权利要求10所述的半导体制造装置，其中所述第二工艺室还配置为执行用于沉积所述第二金属层的第二沉积工艺。

14.如权利要求13所述的半导体制造装置，其中所述第二工艺室配置为顺序地且重复地执行所述第二沉积工艺和所述第二氧化工艺至少两次。

15.如权利要求10所述的半导体制造装置，其中

所述第一温度大于20℃且小于50℃，并且

所述第二温度在50℃和400℃之间。