[发明专利]一种提高全固态薄膜二次锂离子电池正极与电解层薄膜界面的方法在审
| 申请号： | 201811180741.7 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109301311A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李晓干;薛文东;奚伊;刘炜 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01M10/0525 | 分类号： | H01M10/0525;H01M4/1391;H01M10/058 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪;梅洪玉 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次锂离子电池 全固态薄膜 正极材料 正极 电解层 薄膜 等离子体 快速充放电特性 致密 等离子体技术 化学机械抛光 电解质薄膜 磁控溅射 电解薄膜 基片表面 蚀刻处理 低缺陷 均匀性 再沉积 减小 沉积 制备 输出 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高全固态薄膜二次锂离子电池正极与电解层薄膜界面的方法，其特征在于，步骤如下：
(1)将二次锂离子电池的正极材料在400～850℃温度条件下制备成致密的正极材料基片，厚度为10～200um；
(2)将上述制备的正极材料基片放入到等离子体发生源腔室内，采用Ar、H2或O2中的一种与含F代合物相结合的等离子体源，控制等离子体的功率为90～150KW，对正极材料基片的一面进行扫描轰击蚀刻，蚀刻时间为0.5～3个小时；或采用CMP的方法对正极材料基片表面处理，表面的光洁度由处理时间和抛光剂种类决定；
(3)在上述处理过的光滑表面上原位生长一层与正极材料基片同成分的正极材料薄膜，用以填充正极材料基片经过抛光而暴露的微孔；
(4)再原位采用等离子体进行表面蚀刻处理，或采用CMP进行表面处理，从而获得具有良好光洁度的表面，为下一步沉积超薄均匀的固体电解质层提供良好的衬底表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的抛光剂为金刚石、氮化硅或氧化铝悬浊液。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，CMP抛光处理时间为1～2小时。
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