[发明专利]基于二硫化钼晶体管的光控开关电路在审
| 申请号： | 201811181370.4 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109347469A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 林珍华;常晶晶;张冰娟;苏杰;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K17/785 | 分类号： | H03K17/785;H01L31/113;H01L31/032 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 晶体管 光控开关电路 分压电阻 发射极连接电源 正极 电源负极 基极连接 集电极 光电集成电路 负极 低强度光 电源串联 电源正极 连接电源 源极连接 灵敏度 低电压 可探测 低光 可用 漏极 电源 | ||
1.一种基于二硫化钼晶体管的光控开关电路，包括NPN三极管Q1，PNP三极管Q2，LED发光管和电位缓冲调节网络L，NPN三极管Q1的基极通过电位缓冲调节网络L连接到电源负极，并通过第一分压电阻R1连接到电源正极，Q1的发射极连接到电源负极，Q1的集电极与Q2的基极连接并通过第二分压电阻R2连接到电源正极，Q2的发射极连接到电源正极，Q2的集电极通过LED发光管连接到电源负极，其特征在于：
电位缓冲调节网络L采用二硫化钼晶体管VT，该二硫化钼晶体管VT的栅电极通过第一分压电阻R1连接到电源正极，其源极连接到电源负极，其漏极连接到Q1的基极，当光照射到二硫化钼晶体管VT时，光电流使得VT的源漏电流增大，从而使NPN三极管Q1的基极电流增大而导通，控制三极管Q2的基极偏压降低而导通，使得LED发光管发光；当无光照射到二硫化钼晶体管VT时，该VT管截止，控制NPN三极管Q1截止，使得PNP三极管Q2的基极偏压升高而截止，控制LED发光管熄灭。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：所述的二硫化钼晶体管VT，自下而上包括底栅(1)、介质层(2)和半导体层(5)，该半导体层(5)的左右两边设有为源电极(3)和漏电极(4)，半导体层(5)与源电极(3)之间设有源掺杂区域(6)，半导体层(5)与漏电极(4)之间设有漏掺杂区域(7)。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于：二硫化钼晶体管VT的底栅(1)采用P型重掺杂硅。
4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于：二硫化钼晶体管VT的介电层(2)采用厚度为200-300nm二氧化硅。
5.根据权利要求2所述的电路，其特征在于：二硫化钼晶体管VT的半导体层(5)采用厚度为1-6nm的二硫化钼。
6.根据权利要求2所述的电路，其特征在于：二硫化钼晶体管VT的源电极(3)和漏电极(4)均采用厚度为50-100nm的Au。
7.根据权利要求2所述的电路，其特征在于：二硫化钼晶体管VT的掺杂区(6)和(7)均采用10％-30％氢氧化钾水溶液进行掺杂。
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