[发明专利]用于原子层沉积的系统和方法

权利要求书

1.一种原子层沉积(ALD)方法，包括：

将第一反应物蒸气脉冲输送到反应器组件中，所述脉冲输送包括：

向第一反应物气体管线供应所述第一反应物蒸气；

以第一流动速率向第一非活性气体管线供应非活性气体；和

借助于第一进料管线将所述第一反应物蒸气和所述非活性气体馈送到所述反应器组件；以及

吹扫所述反应器组件，所述吹扫包括：

以高于所述第一流动速率的第二流动速率向所述第一非活性气体管线供应所述非活性气体；

将所述非活性气体的第一部分沿着所述第一反应物气体管线的扩散屏障部分反向馈送通过所述第一非活性气体管线以提供在所述第一非活性气体管线上游的惰性气体阀(IGV)；

借助于所述第一进料管线将所述非活性气体的第二部分馈送到所述反应器组件；和

借助于连接到真空源的旁路管线向所述第一非活性气体管线和向所述第一反应物管线施加吸力。

2.根据权利要求1所述的ALD方法，进一步包括在所述脉冲输送期间，将所述非活性气体以第三流动速率从所述第一非活性气体管线抽吸通过所述旁路管线。

3.根据权利要求2所述的ALD方法，在所述吹扫期间，关闭旁路管线阀以取消从所述第一非活性气体管线的所述抽吸。

4.根据权利要求3所述的ALD方法，进一步包括：

将第二反应物蒸气脉冲输送到所述反应器组件中，所述脉冲输送所述第二反应物蒸气包括：

向第二反应物气体管线供应所述第二反应物蒸气；

以第四流动速率向第二非活性气体管线供应所述非活性气体；和

借助于第二进料管线将所述第二反应物蒸气和所述非活性气体馈送到所述反应器组件；以及

额外吹扫所述反应器组件，所述额外吹扫包括：

以高于所述第四流动速率的第五流动速率向所述第二非活性气体管线供应所述非活性气体；和

借助于所述第二进料管线将所述非活性气体馈送到所述反应器组件。

5.根据权利要求4所述的ALD方法，进一步包括依序脉冲输送所述第一反应物蒸气、吹扫所述反应器组件、脉冲输送所述第二反应物蒸气和额外吹扫所述反应器组件。

6.根据权利要求4所述的ALD方法，其中所述旁路管线借助于非活性气体分布管线与所述第一和第二非活性气体管线流体连通，所述方法包括借助于所述非活性气体分布管线用所述旁路管线向所述第一和第二非活性气体管线施加吸力。

7.根据权利要求4所述的ALD方法，其中所述第五流动速率高于所述第二流动速率。

8.根据权利要求3所述的ALD方法，进一步包括用可调阀调节通过所述第一非活性气体管线的气体流量。

9.根据权利要求8所述的ALD方法，其中调节通过所述第一非活性气体管线的所述气体流量包括产生穿过所述可调阀的压力梯度。

10.根据权利要求9所述的ALD方法，进一步包括在所述吹扫期间，快速增加所述第一非活性气体管线和所述进料管线中的所述非活性气体的压力。

11.根据权利要求8所述的ALD方法，进一步包括用第二可调阀调节通过所述旁路管线的气体流量。

12.根据权利要求11所述的ALD方法，进一步包括调节所述第二可调阀以具有高于所述第一可调阀的流导率。