[发明专利]一种局部寄存器的生成方法及生成系统

说明书

本申请公开了一种局部寄存器的生成方法及生成系统，其中，所述局部寄存器的生成方法基于预设脚本实现局部寄存器的快速设计，降低了局部寄存器在设计过程中需要消耗的时间和人力成本，有效减少了人员投入并且缩短了设计周期。

技术领域

本申请涉及非易失存储器技术领域，更具体地说，涉及一种局部寄存器的生成方法及生成系统。

背景技术

非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)是指当失电后，所存储的数据不会消失的电脑存储器。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维非易失性存储器很难做到进一步提高其集成度和数据存储密度，因此，三维(3D)存储器应运而生。

三维存储器的全定制逻辑设计方法主要包括基于MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)的设计方法和基于FSM(Finite State Machine，状态机)的设计方法，其中，基于MCU的设计方法相较于基于FSM的设计方法具有灵活性和可扩展性较好的特点，并且基于MCU的设计方法在三维存储器设计完成后的测试过程中也占有较大优势。

在基于MCU的存储器设计方法中，需要大量局部寄存器来存储模拟电路中各种配置及调节信息。根据模拟电路在上电过程中对初始值的需求不同以及测试模式时MCU总线是否需要读取内部配置信息的不同，需要设计多种具有相应功能的局部寄存器。另外，还需要为局部寄存器设计相应的控制电路和时钟脉宽产生电路。这些局部寄存器电路设计在传统的基于MCU的存储器设计过程中需要消耗大量时间和人力，因此需要一种快速的设计方法来有效减少人员投入和缩短设计周期。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种局部寄存器的生成方法及生成系统，以实现降低局部寄存器在设计过程中需要消耗的时间和人力成本的目的，有效减少了人员投入并且缩短了设计周期。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种局部寄存器的生成方法，应用于基于MCU的三维存储器，所述局部寄存器的生成方法包括：

获取目标局部寄存器的表格模板文件信息，所述表格模板文件信息根据所述目标局部寄存器创建，存储有所述目标局部寄存器的模拟电路的结构信息；

利用预设脚本提取所述表格模板文件信息，以获得所述目标局部寄存器的模拟电路的结构信息；

利用所述预设脚本，根据所述目标局部寄存器的模拟电路的结构信息，生成关于所述目标局部寄存器的硬件描述语言文件；

利用电子设计自动化EDA工具，根据预设的多个库文件综合所述硬件描述语言文件中的寄存器转换级电路，利用标准单元搭建所述目标局部寄存器的控制电路，所述多个库文件根据多种类型的预设器件的电路及版图生成，每个所述库文件与一种类型的预设器件对应，且包含与对应的预设器件的时序信息，所述预设器件为基本寄存器或脉冲生成器；

利用所述控制电路，例化基本寄存器和脉冲生成器，以获得所述目标寄存器的门级网表。

可选的，所述多个库文件的生成过程包括：

将所述预设器件的版图导出为时序提供格式文件，并从所述预设器件的电路中导出电路网表；

根据所述预设器件的时序提供格式文件和电路网表生成与所述预设器件对应的包含时序信息的库文件。

可选的，所述时序提供格式文件为GDSII文件。

可选的，所述目标局部寄存器的模拟电路的结构信息包括模块信息、寄存器编号信息、接口名称、数据总线宽度、寄存器类型和上电初始值。

可选的，获得所述目标寄存器的门级网表之后还包括：