[发明专利]加解密金钥产生方法

权利要求书

1.一种加解密金钥产生方法，包含以下步骤：

选择一NAND闪存的一区块；

初始化该NAND闪存的该区块；

编程该NAND闪存的该区块，以取得该区块中的复数个记忆体单元的第一电位；

重新初始化该NAND闪存的该区块；

重新编程该NAND闪存的该区块，以取得该区块中的该些记忆体单元的第二电位；

将该些记忆体单元的第一电位与第二电位对应相减，以取得一差异表；以及

依一设定顺序读取该差异表中的复数个差异值，以作为一加解密金钥。

2.根据权利要求1所述的加解密金钥产生方法，其中初始化该NAND闪存的该区块的步骤包含：

抹除该NAND闪存的该区块中的记忆体单元的信息。

3.根据权利要求1所述的加解密金钥产生方法，其中编程该NAND闪存的该区块的步骤包含：

将高电位写入该NAND闪存的该区块中的该些记忆体单元，其中，每个所述记忆体单元的特性不同。

4.根据权利要求3所述的加解密金钥产生方法，其中该区块中的该些记忆体单元对应的第一电位部分不相同。

5.根据权利要求4所述的加解密金钥产生方法，其中重新编程该NAND闪存的该区块的步骤包含：

重新将高电位写入该NAND闪存的该区块中的该些记忆体单元。

6.根据权利要求5所述的加解密金钥产生方法，其中该区块中的该些记忆体单元对应的第二电位部分不相同。

7.根据权利要求6所述的加解密金钥产生方法，其中将该些记忆体单元的第一电位与第二电位对应相减，以取得该差异表的步骤包含以下步骤：

将该些记忆体单元的一第一记忆体单元的该第一电位与该第一记忆体单元的该第二电位对应相减，以取得一第一差异值；

将该些记忆体单元的一第二记忆体单元的该第一电位与该第二记忆体单元的该第二电位对应相减，以取得一第二差异值；以及

依据该第一差异值及该第二差异值以取得该差异表。

8.根据权利要求7所述的加解密金钥产生方法，其中该区块中的该些记忆体单元排列为一矩阵，其中以该矩阵的一行及一列形成的矩阵单元作为一个基本单位，该差异值隔复数个基本单位出现一次，其中依该设定顺序读取该差异表中的该些个差异值，以作为该加解密金钥的步骤包含：

依该设定顺序读取该差异表中的该些差异值，并以该些差异值与该些基本单位的数值的组合以作为该加解密金钥。

9.根据权利要求8所述的加解密金钥产生方法，其中依该设定顺序读取该差异表中的该些个差异值，以作为该加解密金钥的步骤包含：

选择性地读取该差异表中相对应于该矩阵的同一行的该些个差异值、选择性地读取该差异表中相对应于该矩阵之同一列的该些个差异值或选择性地读取该差异表中相对应于该矩阵的任一行及任一列的该些个差异值，并将读取到的该些个差异值与该些基本单位的数值进行组合以作为该加解密金钥。

10.根据权利要求7所述的加解密金钥产生方法，其中依该设定顺序读取该差异表中的该些个差异值，以作为该加解密金钥的步骤包含：

设定一差异值范围；以及

依该设定顺序读取该差异表中位于该差异值范围内的该些差异值，以作为该加解密金钥。