[发明专利]功率放大器模块有效

专利信息
申请号: 201811182641.8 申请日: 2018-10-11
公开(公告)号: CN109659286B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 近藤将夫;柴田雅博 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L29/417;H01L29/737
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率放大器 模块
【说明书】:

本发明提供能够提高散热效率的功率放大器模块。基板在其上表面内包含活性区域和元件分离区域。在活性区域上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。由层间绝缘膜覆盖集电极层、基极层以及发射极层。垫片与元件分离区域热耦合。在层间绝缘膜上配置有发射极凸块。发射极凸块经由设置于层间绝缘膜的导通孔与发射极层电连接,并且也与垫片电连接。在俯视时,发射极凸块与发射极层中的流过发射极电流的区域亦即发射极区域部分地重叠。

技术领域

本发明涉及功率放大器模块,特别是涉及适用于移动电话等发送系统的功率放大器模块。

背景技术

在功率放大器模块的动作时晶体管自己发热,晶体管的温度上升并且功率放大器模块的性能降低。为了抑制性能的降低,期望从晶体管的发热源高效地向功率放大器模块的外部进行散热。在将包含该晶体管的半导体芯片经由凸块安装在印刷基板的构成中,通过从晶体管经由凸块到印刷基板的热路径进行散热。

在下述的专利文献1中公开了通过缩短散热路径来改善散热特性的半导体装置。该半导体装置包含HBT,在HBT的发射极区域上配置有发射极电极。在发射极电极上,隔着第一层的层间绝缘膜配置有发射极用的布线。发射极用的布线通过设置于第一层的层间绝缘膜的开口与发射极电极连接。在发射极用的布线上隔着第二层的层间绝缘膜配置有发射极主电极端子。发射极主电极端子通过设置于第二层的层间绝缘膜的开口与发射极用的布线连接。在发射极主电极端子上具备凸块电极。

在该HBT中,从发射极层经由发射极电极、发射极用的布线以及发射极主电极端子到达凸块电极的热路径作为释放在HBT产生的热的散热路径发挥作用。由于在基板的厚度方向依次层叠发射极层、发射极电极、发射极用的布线、发射极主电极端子以及凸块电极,所以与向基板的横向释放热的构成相比,能够得到缩短散热路径这样的效果。

专利文献1:日本特开2003-77930号公报

在专利文献1所公开的HBT中,将发射极、基极、集电极与和它们对应的凸块电极连接的散热路径的截面积由于发射极、基极、集电极的面积而受到制约。例如,为了连接发射极电极与发射极用的布线而设置于第一层的层间绝缘膜的开口的部分的散热路径的截面积不能够比发射极电极大。这样,难以无条件地增大散热路径的截面积。因此,难以充分降低从HBT到凸块电极的热路径的热阻。

发明内容

本发明的目的在于提供能够通过不受到发射极、基极、集电极的面积的制约地增大散热路径的截面积来提高散热效率的功率放大器模块。

本发明的一观点的功率放大器模块具有:

基板,在上表面内包含导电性的活性区域和与上述活性区域相邻的绝缘性的元件分离区域;

集电极层、基极层以及发射极层,依次层叠在上述活性区域上;

层间绝缘膜,覆盖上述集电极层、上述基极层以及上述发射极层;

垫片,与上述元件分离区域热耦合;以及

发射极凸块,配置在上述层间绝缘膜上,经由设置于上述层间绝缘膜的导通孔与上述发射极层电连接,并且也与上述垫片电连接,

在俯视时,上述发射极凸块与上述发射极层中的流过发射极电流的区域亦即发射极区域部分地重叠。

由于垫片与发射极凸块电连接,所以与经由绝缘层连接的构成相比,从垫片到发射极凸块的热路径的热阻降低。因此,形成使在集电极层、基极层以及发射极层的发热源产生的热通过基板传导至垫片并从垫片传导至发射极凸块的散热路径。该散热路径加入至在发射极区域与发射极凸块重叠的区域形成的散热路径。因此,散热路径的实际的截面积增大。其结果是,能够提高散热效率。

附图说明

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