[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本申请实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管中，通过在基板上依次形成栅极层、栅极绝缘层、半导体层、源极层、漏极层以及钝化层，钝化层形成在栅极绝缘层、源极层、漏极层以及沟道区的半导体层上，其中对应于沟道区的钝化层具有凹凸表面，通过上述方式，能够确保开口率的同时，可以减少照射到薄膜晶体管的半导体层沟道区上的光线，有利于提升薄膜晶体管的稳定性。

技术领域

本申请涉及薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)作为一种开关器件广泛应用于显示面板中，如液晶显示面板、OLED显示面板等，其电性稳定性是影响显示面板性能的关键因素之一。

半导体沟道层是TFT的结构组成部分，其在受到光照后容易形成电子空穴对，从而形成电流，将会对TFT的电性特性造成不良影响，降低TFT的稳定性。而在TFT的工作环境中，如应用于液晶显示面板时，TFT将会受到背光和外界光的照射，这些光线都会对TFT的电性特性产生一定的影响，现有技术通常是加大栅极层的面积来阻挡背光，以减少照射到TFT沟道层的光线，然而加大栅极层的面积将会相应地牺牲像素电极的部分面积，降低显示面板的开口率。

发明内容

本申请实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法，能够确保开口率的同时，可以减少照射到薄膜晶体管的半导体层沟道区上的光线，有利于提升薄膜晶体管的稳定性。

本申请实施例提供一种薄膜晶体管，包括：

基板；

形成于所述基板上的栅极层；

形成于所述基板上、且覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；

形成于所述栅极绝缘层上的半导体层，所述半导体层包括沟道区；

形成于所述半导体层上的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔所述沟道区而相对设置；

形成于所述栅极绝缘层、源极层、漏极层以及所述半导体层的沟道区上的钝化层；

其中，对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面。

其中，所述凹凸表面为凹凸均匀的锯齿状表面。

其中，所述沟道区的垂直投影区域位于所述栅极层的垂直投影区域内，对应于所述栅极层的钝化层具有凹凸表面。

其中，对应于所述漏极层的钝化层设置有通孔，所述通孔用于实现所述漏极层和透明电极层的连接。

其中，所述钝化层为SiNx层，所述半导体层为A-si层。

本申请实施例还提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成栅极层；

在所述基板上和所述栅极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔设置，以在所述源极层和所述漏极层之间形成所述半导体层的沟道区；

在所述栅极绝缘层、源极层、漏极层以及所述半导体层的沟道区上形成钝化层；

对所述钝化层进行蚀刻，以使得对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面。

其中，所述对所述钝化层进行蚀刻，包括：

提供一光罩，所述光罩上设置有多个第一透光孔和一个第二透光孔，所述第一透光孔的宽度小于曝光机的解析度；