[发明专利]一种基片的定点离子注入装置及注入方法有效
申请号: | 201811183958.3 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN109256314B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 许波涛;彭立波;钟新华;程文进;颜秀文;徐松 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/20 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;戴玲 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 定点 离子 注入 装置 方法 | ||
1.一种基片的定点离子注入装置,其特征在于:包括控制单元、真空腔室(1)、设于真空腔室(1)内的基片定位装置和设于真空腔室(1)外的机器视觉系统(2),所述基片定位装置包括基片座(3)、掩盖板(4)、第一X轴移动机构(5)、第二X轴移动机构(6)、第一Y轴移动机构(7)和第二Y轴移动机构(8),所述第一X轴移动机构(5)设于第一Y轴移动机构(7)上,所述第二X轴移动机构(6)设于第二Y轴移动机构(8)上,所述基片座(3)设于第一X轴移动机构(5)上,所述掩盖板(4)设于第二X轴移动机构(6)上,基片(9)固定于基片座(3)上,所述掩盖板(4)上设有束流穿孔(41),所述机器视觉系统(2)用于检测基片(9)上注入点的位置以及束流穿孔(41)的中心位置,所述掩盖板(4)可移动至覆盖在基片(9)的上方,以使束流穿孔(41)的中心位置与基片(9)上的注入点位置对正,所述真空腔室(1)的顶板设有离子束注入口(11),所述控制单元与第一Y轴移动机构(7)和第二Y轴移动机构(8)、第一X轴移动机构(5)、第二X轴移动机构(6)和机器视觉系统(2)连接。
2.根据权利要求1所述的基片的定点离子注入装置,其特征在于:所述掩盖板(4)中部设有一可拆卸的盖板(42),所述束流穿孔(41)位于可拆卸的盖板(42)上。
3.根据权利要求1所述的基片的定点离子注入装置,其特征在于:所述基片座(3)顶部设有装片板(31)和片夹(32),所述装片板(31)上设有凹槽(33),所述基片(9)位于所述凹槽(33)内,并通过片夹(32)夹紧。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的基片的定点离子注入装置,其特征在于:所述第一X轴移动机构(5)包括第一线性导轨(51)和第一线性马达(52),所述第二X轴移动机构(6)包括第二线性导轨(61)和第二线性马达(62),所述第一线性导轨(51)设于第一Y轴移动机构(7)上,所述第二线性导轨(61)设于第二Y轴移动机构(8)上,所述基片座(3)固定于第一线性马达(52)上,所述掩盖板(4)固定于第二线性马达(62)上。
5.根据权利要求4所述的基片的定点离子注入装置,其特征在于:所述第一Y轴移动机构(7)包括第三线性马达(71),所述第二Y轴移动机构(8)包括第四线性马达(81),所述第三线性马达(71)和第四线性马达(81)共设一个Y轴线性导轨(72),所述第一线性导轨(51)固定在第三线性马达(71)上,所述第二线性导轨(61)固定在第四线性马达(81)上。
6.根据权利要求4所述的基片的定点离子注入装置,其特征在于:所述第一Y轴移动机构(7)包括第三线性导轨和第三线性马达(71),所述第二Y轴移动机构(8)包括第四线性导轨和第四线性马达(81),所述第一线性导轨(51)固定在第三线性马达(71)上,所述第二线性导轨(61)固定在第四线性马达(81)上。
7.根据权利要求6所述的基片的定点离子注入装置,其特征在于:所述第三线性导轨和第四线性导轨位于同一直线上。
8.根据权利要求1至3任意一项所述的基片的定点离子注入装置,其特征在于:所述机器视觉系统(2)包括工业照相机(21)、照明光源(22)和透光玻璃(23),所述透光玻璃(23)嵌在真空腔室(1)顶板的外侧,所述工业照相机(21)固定于透光玻璃(23)上,二者之间设置所述照明光源(22)。
9.根据权利要求1至3任意一项所述的基片的定点离子注入装置,其特征在于:所述离子束注入口(11)设有控制离子束注入口(11)打开和关闭的阀门。
10.一种如权利要求1至9任意一项所述的基片的定点离子注入装置的注入方法,其特征在于包括以下步骤:
S1、关闭离子束注入口(11),对真空腔体(1)进行抽真空,以达到工艺要求设定值;
S2、移动基片座(3)至机器视觉系统(2)的下方,机器视觉系统(2)检测出基片(9)上注入点的位置,并记录;
S3、移动掩盖板(4)至机器视觉系统(2)的下方,并覆盖在基片(9)的上方,机器视觉系统(2)检测出掩盖板(4)上束流穿孔(41)的中心位置,并与注入点的位置进行比较,将比较值反馈给控制单元,控制单元控制掩盖板(4)移动,以使束流穿孔(41)的中心位置与基片(9)上注入点的位置对正;
S4、同步移动基片座(3)和掩盖板(4)至离子束注入口(11)的下方;
S5、打开离子束注入口(11),启动离子束,完成基片上定点离子注入。
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