[发明专利]大面积有机发光二极管显示器

权利要求书

1.一种有机发光二极管(OLED)显示器，包括：

设置在基板上的辅助连接线；

辅助阴极，所述辅助阴极设置在所述辅助连接线上并且连接至所述辅助连接线；

覆盖所述辅助阴极的钝化层；

形成在所述钝化层上的涂覆层；

连接端子，所述连接端子位于所述涂覆层上并且连接至所述辅助阴极；

底切开口，所述底切开口穿透所述涂覆层和所述钝化层以暴露所述辅助阴极的一部分，所述底切开口包括一侧和另一侧，所述一侧暴露所述涂覆层的蚀刻侧壁和所述钝化层的蚀刻侧壁，所述另一侧暴露所述连接端子，所述钝化层的位于所述连接端子的下方的一部分被过蚀刻以在所述底切开口的所述另一侧处暴露所述连接端子的一部分，在所述底切开口中具有底部区域，所述底部区域设置在所述连接端子的暴露部分的下方；

堤部，所述堤部具有比所述底切开口大的堤部开口并且暴露出整个底切开口；

有机发光层，所述有机发光层形成在除所述底切开口中的底部区域之外的区域上，以暴露出所述辅助阴极的所述一部分；和

阴极，所述阴极在所述底切开口的底部区域中直接连接至所述辅助阴极的暴露部分，在所述暴露部分上未形成所述有机发光层。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述涂覆层包括过蚀刻台阶部分，所述过蚀刻台阶部分形成在由所述堤部暴露的所述涂覆层的上部的一部分处。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括：

遮光层，所述遮光层设置在所述基板上并且与所述辅助连接线位于相同水平面；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述遮光层上并且位于所述钝化层的下方；

像素接触孔，所述像素接触孔形成于所述涂覆层中并且选择性地暴露所述薄膜晶体管；和

阳极，所述阳极位于所述涂覆层上并且经由所述像素接触孔连接至所述薄膜晶体管，

其中所述堤部限定用于暴露所述阳极的中央部分的发光区域，所述有机发光层形成在整个发光区域上，并且所述阴极在所述发光区域中形成在所述有机发光层上，使得所述阳极、所述有机发光层和所述阴极被叠置以在所述发光区域中形成有机发光二极管(OLED)。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，还包括：覆盖所述遮光层和所述辅助连接线的缓冲层，

其中所述薄膜晶体管包括：

半导体层，所述半导体层设置在位于所述遮光层上的缓冲层上；

栅极电极，所述栅极电极叠置在所述半导体层的中央区域上，所述栅极电极和所述半导体层之间插置有栅极绝缘层；

层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极电极和所述半导体层；

源极电极，所述源极电极位于所述层间绝缘层上并且连接至所述半导体层的一侧；和

漏极电极，所述漏极电极位于所述层间绝缘层上并且连接至所述半导体层的另一侧。

5.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，还包括：

缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述辅助连接线；

形成在所述缓冲层上的层间绝缘层；和

所述薄膜晶体管的漏极电极，所述漏极电极设置在所述层间绝缘层上，

其中所述辅助阴极位于所述层间绝缘层上并且包括与所述漏极电极相同的材料。