[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201811184286.8 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN109411494A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 何玉坤;何延强;李晓明;林宗德;黄仁德 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 感光区 图像传感器 衬底表面 隔离区 衬底 白色滤光片 彩色滤光片 吸光层 图像 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底包括第一感光区、若干第二感光区和若干隔离区,所述隔离区位于相邻的第一感光区和第二感光区之间、以及位于相邻的第二感光区之间;
位于所述第一感光区衬底表面的吸光层;
位于所述第一感光区衬底表面的白色滤光片和位于若干第二感光区衬底表面的彩色滤光片。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述吸光层的吸光率大于0%,且小于或者等于100%;当所述吸光层的吸光率为100%时,所述吸光层沿平行于衬底表面的横截面面积小于第一感光区横截面面积;当所述吸光层的吸光率小于100%时,所述吸光层沿平行于衬底表面的横截面面积小于或者等于第一感光区横截面的面积。
3.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述吸光层的材料包括:金属、半导体材料或者有机材料。
4.如权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,所述半导体材料包括:非晶硅、锗或者锗硅。
5.如权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,所述吸光层沿平行于衬底表面的横截面面积与第一感光区横截面的面积的比例关系为1/3~2/3;所述吸光层的厚度为100纳米~300纳米。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述衬底表面还具有介电层,所述吸光层位于第一感光区的介电层表面。
7.如权利要求6所述的图像传感器,其特征在于,还包括:位于所述介电层表面的第一平坦层,所述第一平坦层覆盖吸光层的侧壁表面和顶部表面。
8.如权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,还包括:位于隔离区第一平坦层部分表面的隔离结构;所述白色滤光片位于第一感光区第一平坦层表面,若干所述彩色滤光片位于第二感光区第一平坦层表面,且所述白色滤光片和彩色滤光片分别位于相邻隔离结构之间;位于所述白色滤光片和彩色滤光片表面的微透镜。
9.一种如权利要求1至8任一项所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底包括第一感光区、若干第二感光区和若干隔离区,所述隔离区位于相邻的第一感光区和第二感光区之间、以及位于相邻的第二感光区之间;
在所述第一感光区衬底表面形成吸光层;
形成所述吸光层后,在所述第一感光区衬底表面形成白色滤光片以及在若干第二感光区衬底表面形成彩色滤光片。
10.如权利要求9所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述吸光层的形成方法包括:在所述介电层表面形成吸光材料膜;在所述吸光材料膜表面形成图形化层,所述图形化层暴露出第二感光区的吸光材料膜表面;以所述图形化层为掩膜,刻蚀所述吸光材料膜,直至暴露出介电层表面,在介电层表面形成吸光层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811184286.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的