[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制备方法有效
申请号: | 201811184371.4 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN111048549B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 李佳佳;林润;魏新愿;劳浔;王忠春 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 臧云霄;夏彬 |
地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板可绕第一方向延伸的弯折轴弯折而形成可弯折区;
所述显示面板包括:
支撑膜;
显示组件,位于所述支撑膜的一侧,且相对于所述支撑膜,所述显示组件位于所述可弯折区的内侧,所述显示组件的外边缘相对于所述支撑膜的外边缘沿第一方向向内缩进,以在所述显示组件的外边缘和所述支撑膜的外边缘之间形成一台阶区;以及
偏光片和触控层,位于所述显示组件背离所述支撑膜的一侧,所述触控层位于所述偏光片背离所述显示组件的一侧,所述偏光片和触控层的外边缘相对于所述显示组件的外边缘沿第一方向向内缩进,以在所述偏光片和触控层的外边缘和所述显示组件的外边缘之间形成一台阶区;
表面硬化处理层,位于所述触控层背离所述偏光片的一侧,所述表面硬化处理层的外边缘相对于所述触控层的外边缘沿第一方向向内缩进。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示组件的外侧边缘相对于所述支撑膜的外边缘沿第一方向向内缩进0.05~1mm,所述偏光片和触控层的外侧边缘相对于所述显示组件的外边缘沿第一方向向内缩进0.05~1mm。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板的外边缘以及所述台阶区均涂覆有保护胶。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控层位于所述偏光片背离所述显示组件的一侧,所述触控层的外边缘相对于所述偏光片的外边缘沿第一方向向内缩进。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述支撑膜的另一侧还设置有泡棉,所述支撑膜的外边缘相对于所述泡棉的外边缘沿第一方向向内缩进。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示组件包括:
柔性衬底,位于所述支撑膜的一侧;
驱动阵列层,位于所述柔性衬底背离所述支撑膜的一侧;
发光层,位于所述驱动阵列层背离所述柔性衬底的一侧;
薄膜封装层,位于所述发光层背离所述驱动阵列层的一侧。
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板可绕第一方向的弯折轴弯折而形成可弯折区;
所述显示面板包括:
支撑膜;
显示组件,位于所述支撑膜的一侧,且相对于所述支撑膜,所述显示组件位于所述可弯折区的外侧,所述显示组件的外边缘相对于所述支撑膜的外边缘沿第一方向向外延伸,以在所述显示组件的外边缘和所述支撑膜的外边缘之间形成一台阶区;以及
偏光片和触控层,位于所述显示组件背离所述支撑膜的一侧,所述偏光片和触控层的外边缘相对于所述显示组件的外边缘沿第一方向向外延伸,以在所述偏光片和触控层的外边缘和所述显示组件的外边缘之间形成一台阶区。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示组件的外侧边缘相对于所述支撑膜的外侧边缘沿第一方向向外延伸0.05~1mm,所述偏光片和触控层的外边缘相对于所述显示组件的外边缘沿第一方向向外延伸0.05~1mm。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板的外边缘以及所述台阶区均涂覆有保护胶。
10.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述触控层位于所述偏光片背离所述显示组件的一侧,所述触控层背离所述偏光片的一侧还设置有表面硬化处理层,所述表面硬化处理层的外边缘相对于所述触控层的外边缘沿第一方向向外延伸。
11.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述触控层位于所述偏光片背离所述显示组件的一侧,所述触控层的外边缘相对于所述偏光片的外边缘沿第一方向向外延伸。
12.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述支撑膜的另一侧还设置有泡棉,所述支撑膜的外边缘相对于所述泡棉的外边缘沿第一方向向外延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的