[发明专利]一种基于钙镁离子移除的原位缓解正渗透膜污染方法

权利要求书

1.一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述方法通过原位移除FO污染膜上的钙镁离子以实现除去FO膜污染物；所述的方法是利用EDTA膜或DGT技术对FO膜面污染物中的钙镁离子进行原位移除，从而实现除去FO膜污染物；所述EDTA膜为EDTA溶液和凝固点在40℃以上的物质制备得到的；所述原位移除指的是无需取下FO膜，将EDTA膜或DGT装置直接覆在FO膜上；所述凝固点在40℃以上的物质为琼脂。

2.根据权利要求1所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（1）制备EDTA膜或活化DGT装置上的吸附膜；

（2）采用EDTA膜或DGT装置对FO膜污染物中的钙镁离子进行原位移除；

（3）采用原位反冲洗对吸附后的FO膜进行物理清洗；

（4）将经过钙镁离子移除和物理清洗后的FO膜重新投入运行。

3.根据权利要求2所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述EDTA膜的制备方法具体为：在90-100℃将1wt%-3wt% EDTA钠盐溶于水，加入3wt%-6wt%的琼脂，搅拌均匀，冷却制得EDTA膜。

4.根据权利要求2或3所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述DGT装置包括吸附膜、扩散膜和滤膜。

5.根据权利要求2或3所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述DGT装置由上至下按照吸附膜、扩散膜、滤膜的顺序进行组装，其中滤膜靠近FO污染膜。

6.根据权利要求4所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述DGT装置由上至下按照吸附膜、扩散膜、滤膜的顺序进行组装，其中滤膜靠近FO污染膜。

7.根据权利要求2、3或6任一所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述DGT装置在使用前需要经过活化过程，所述活化过程是指在4 ℃下，将吸附膜在0.03 MNaCl溶液中浸泡5-24 h。

8.根据权利要求4所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述DGT装置在使用前需要经过活化过程，所述活化过程是指在4 ℃下，将吸附膜在0.03 M NaCl溶液中浸泡5-24 h。

9.根据权利要求5所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述DGT装置在使用前需要经过活化过程，所述活化过程是指在4 ℃下，将吸附膜在0.03 M NaCl溶液中浸泡5-24 h。

10.根据权利要求2、3、6、8或9任一所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述EDTA膜与FO污染膜面的接触时间为5-24 h。

11.根据权利要求4所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述EDTA膜与FO污染膜面的接触时间为5-24 h。

12.根据权利要求5所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述EDTA膜与FO污染膜面的接触时间为5-24 h。

13.根据权利要求7所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述EDTA膜与FO污染膜面的接触时间为5-24 h。

14.根据权利要求2、3、6、8、9、11、12或13任一所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述DGT装置与FO污染膜面接触时间为24-48 h。

15.根据权利要求4所述的一种原位缓解正渗透膜污染的方法，其特征在于，所述DGT装置与FO污染膜面接触时间为24-48 h。