[发明专利]一种晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201811185428.2 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109461695A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 郭松辉;沈新林;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3105;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化硅层 氨基 晶圆键合 介质层 晶圆 圆键 种晶 氨气 超临界状态 氨化处理 表面形成 反应压强 产率 减小 | ||
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供至少两片晶圆，所述晶圆的表面包括氧化硅层；
对至少一片所述晶圆的氧化硅层进行氨化处理，以在所述氧化硅层的表面形成氨基介质层；
通过所述氨基介质层将所述晶圆键合，以在所述晶圆键合面形成超临界状态的氨气。
2.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：在键合所述晶圆的过程中，在所述晶圆键合面生成有水，所述水的状态包括超临界状态及气态中的一种。
3.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：形成所述氧化硅层的方法包括原子层沉积法、化学气相沉积法及原位生长法中的一种。
4.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：所述氨化处理的方法包括磁控溅射等离子体氨化处理、电感耦合等离子体氨化处理及DPN处理中的一种。
5.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：形成所述超临界状态的氨气的反应温度的范围包括132.4℃～350℃，且反应压强的范围包括11.28MPa～20MPa。
6.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：在键合所述晶圆的步骤中，还包括回火的步骤。
7.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：键合所述晶圆的步骤中包括等离子体活化处理及清洗处理的步骤。
8.根据权利要求7所述的晶圆键合方法，其特征在于：所述等离子体活化处理的工作气体包括氮气及氧气中的一种或组合；所述清洗处理的步骤所采用的清洗液包括去离子水、含氨的清洗液及含氢氟酸的清洗液中的一种。
9.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：所述晶圆键合面形成的气泡的面积与所述晶圆键合面的面积的比值范围包括0.1％～1％。
10.根据权利要求1～9中任一所述的晶圆键合方法，其特征在于：所述晶圆键合方法包括应用于制备SOI及背照式CMOS中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811185428.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种掩模工艺机台新型卡盘
- 下一篇：一种浅沟槽隔离结构的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
