[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、半导体层(40)及源漏极金属层(50)；

步骤S2、提供一半透光光罩(90)，在所述源漏极金属层(50)上涂布光阻材料，利用所述半透光光罩(90)对光阻材料进行曝光、显影，得到光阻层(80)，所述光阻层(80)包括相互间隔的第一光阻图形(81)、第二光阻图形(82)及第三光阻图形(83)；所述第一光阻图形(81)、第二光阻图形(82)及第三光阻图形(83)均包括中间部(811)以及位于中间部(811)两侧的边缘部(812)；所述第一光阻图形(81)的中间部(811)还设有凹槽(813)；所述边缘部(812)的厚度小于中间部(811)的厚度；所述中间部(811)对应后续形成的源漏极(55)；所述边缘部(812)对应后续形成的金属导线结构(54)边缘的半导体层(40)；所述凹槽(813)对应后续形成的沟道；

步骤S3、进行第一次湿刻，由所述源漏极金属层(50)形成金属导线结构(54)；

步骤S4、进行第一次干刻，由半导体层(40)形成有源层结构(44)；

步骤S5、对所述光阻层(80)进行灰化处理，减薄光阻层(80)的厚度直至凹槽(813)暴露出金属导线结构(54)；

步骤S6、进行第二次湿刻，由所述金属导线结构(54)形成源漏极(55)；

步骤S7、进行第二次干刻，在有源层结构(44)上形成沟道，得到有源层(45)，形成TFT结构。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半透光光罩(90)具有第一图形(91)、第二图形(92)及边缘图形(93)，其中，所述第二图形(92)与第一图形(91)相连续，所述边缘图形(93)沿着第一图形(91)的边缘连续设置；

所述步骤S2中，所述第一图形(91)、第二图形(92)和边缘图形(93)分别用于对应形成中间部(811)、凹槽(813)和边缘部(812)；

所述步骤S2中提供的光阻材料为正型光阻材料，所述半透光光罩(90)的第一图形(91)为不透光区域，所述第二图形(92)和边缘图形(93)为半透光区域。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半透光光罩(90)为半色调光罩。

4.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半透光光罩(90)为灰阶光罩，所述半透光光罩(90)的边缘图形(93)的透光率为30％-50％。

5.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中形成的光阻层(80)的中间部(811)具有两条或以上的相连接的光阻条，所述半透光光罩(90)在对应形成相邻两光阻条连接处的部分为第一图形(91)或边缘图形(93)。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3还包括，在第一次湿刻之后和在第一次干刻之前，对所述光阻层(80)进行灰化处理，以缩减所述光阻层(80)的宽度，使得所述金属导线结构(54)边缘的半导体层(40)易于被蚀刻；

所述步骤S6还包括，在第二次湿刻之后和在第二次干刻之前，对所述光阻层(80)进行灰化处理，以缩减所述光阻层(80)的宽度，使得所述金属导线结构(54)边缘的半导体层(40)易于被蚀刻。

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体层(40)包括沟道层(41)和设于沟道层(41)上的接触层(42)。

8.如权利要求7所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述沟道层(41)和接触层(42)通过等离子体增强型化学气相沉积、溶胶凝胶、溅射或原子层沉积的方法制作形成。

9.如权利要求7所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述沟道层(41)和接触层(42)的材料为非晶硅或金属氧化物半导体。

10.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中得到的TFT结构为显示区域或GOA区域的TFT结构。