[发明专利]半导体元件

说明书

一种半导体元件，例如鳍式场效应晶体管装置包含鳍片，设置在鳍片侧表面处的磊晶层，设置在磊晶层和鳍片上的接触。接触包含磊晶接触部分和设置在磊晶接触部分上的金属接触部分。磊晶接触部分的掺杂浓度高于磊晶层的掺杂浓度。

技术领域

本揭露涉及半导体元件。

背景技术

半导体集成电路工业在过去几十年中经历了快速增长。半导体材料和设计的技术进步已经产生越来越小和更复杂的电路。由于与加工和制造相关的技术也经历了技术进步，使得这些半导体材料和设计进步成为可能。在半导体演进过程中，随着特征尺寸的减小，每单位面积的互连装置数量增加。半导体集成电路工业已经产生了许多进展以继续缩小(scaling)过程。其中一个进展是透过垂直场效应晶体管替换或补充传统的平面金属氧化物半导体场效应晶体管。然而，现有的垂直场效应晶体管在所有方面都令人不满意。

发明内容

本揭露提供一种包含n型装置的半导体元件。n型装置包含：第一鳍片、第一磊晶层和第一接触。第一鳍片设置在基板上；第一磊晶层设置在第一鳍片的侧壁上；第一接触设置在第一鳍片和第一磊晶层上，第一接触包含磊晶接触部分和设置在磊晶接触部分上的金属接触部分，其中第一磊晶层和磊晶接触部分之间具有界面。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本揭露的各方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1至图12绘示根据本揭露一些实施例中制造半导体元件的方法的各个阶段的横截面图；

图13是图11的区域R的放大视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实现本揭露的不同特征的许多不同实施例或示例。以下描述元件和配置的具体示例以简化本揭露。当然，这些仅仅是例子，并不意在限制。例如，在下面的描述中在第二特征上方或之上形成第一特征可以包括其中第一特征和第二特征形成为直接接触的实施例，并且还可以包括其中可以在第一特征和第二特征之间形成额外特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触。另外，本揭露可以在各种示例中重复附图标记和/或文字。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且本身不表示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述，可以在此使用空间相对术语，诸如“在...下面”、“在...下方”、“低于”、“在...上面”、“高于”等等，以描述一个元件或特征与如附图所示的另一个元件或特征的关系。除了附图中描绘的方向之外，空间相对术语旨在涵盖使用或操作中的装置的不同方位。此装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位)并且同样可以相应地解释这里使用的空间相关描述符号。

可以透过任何合适的方法图案化鳍片。例如，可以使用一个或多个光刻制程来图案化鳍片，包括双图案化或多图案化制程。通常，双图案化或多图案化制程组合光刻和自对准制程，以允许创建具有例如比使用单个、直接光刻制程可获得的间距更小的间距的图案。例如，在一个实施例中，在基板上形成牺牲层并使用光刻制程图案化。使用自对准制程在图案化的牺牲层旁边形成间隔物。然后去除牺牲层，接着便可以使用剩余的间隔物来图案化鳍片。

图1至图12绘示根据本揭露一些实施例中制造半导体元件的方法的各个阶段的横截面图。应当理解，可以在此方法之前、期间和/或之后提供附加步骤，并且可以替换、消除和/或移动下面描述的一些步骤以用于此方法的另外的实施例。此方法开始于在基板上形成多个鳍片，如图1所示。