[发明专利]增强逆导型IGBT雪崩耐量的方法在审
| 申请号： | 201811187009.2 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109473355A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;刘鹏飞;闫宏丽;刘杰;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 逆导型 二次击穿 雪崩过程 雪崩耐量 主结 耐受能力 芯片背面 有效抑制 单管 雪崩 背面 | ||
【权利要求书】：
1.增强逆导型IGBT雪崩耐量的方法，其特征在于：
该方法在芯片背面相对应正面的主结区域，形成N注入区，将原来寄生的PNP三极管，变成一个PIN的结构，有效抑制雪崩过程中，发生二次击穿造成单管损坏。
2.根据权利要求1所述的增强逆导型IGBT雪崩耐量的方法，其特征在于：
具体方法步骤如下：
步骤一：首先选取N型合适电阻率的硅片；
步骤二：在N-的衬底硅片上形成P+的场限环和P+主结区域；
步骤三：进行沟槽刻蚀，栅氧生长和Poly淀积和回刻；
步骤四：形成P阱区；
步骤五：形成N+区；
步骤六：淀积氧化层，并刻蚀孔；
步骤七：形成正面金属；
步骤八：形成背面N缓冲层；
步骤九：主结P+区域，形成了一个寄生的PNP三极管；
步骤10：在有源区形成N+图形外，在主结P+的下方也同样形成Wn宽度的N+区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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