[发明专利]一种低噪声电压可调电路及系统在审
申请号: | 201811187266.6 | 申请日: | 2018-10-12 |
公开(公告)号: | CN109085788A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 张静 | 申请(专利权)人: | 湖北视拓光电科技有限公司 |
主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 434000 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 调高 输出偏置电压 偏置电压 输出电压 压差 电压可调电路 降低功耗 可调电路 实时调整 输入电压 同步调整 系统电压 低噪声 | ||
电压可调电路的实现主要就是通过调整VDD_ADJ和VDD_BIAS的电压,同时为了降低功耗,应同步调整VDD_ADJ和VDD_BIAS的电压,使其压差尽量小(不能小于350mV),待电压值设置正确后再将BIAS_EN信号拉高,使U2芯片正常工作,若在正常工作时需要实时调整偏置电压VDD_BIAS,则需分两种情况来调整:1、若VDD_BIAS电压值需要调高,则需要先通过IIC信号将U1芯片的输出电压VDD_ADJ电压调高,然后再通过IIC信号将U2的输出偏置电压VDD_BIAS调高,如此反复;2、若VDD_BIAS电压值需要调低,则需要先通过IIC信号将U2芯片的输出偏置电压VDD_BIAS调低,然后再通过IIC信号将U1的输出电压VDD_ADJ调低,如此反复;这样可以防止U2芯片的压差小于350mV而损坏芯片。输入电压VDD_IN的电压范围为2.5V‑‑15V,VDD_ADJ的电压范围为2.5V‑‑15V,偏置电压VDD_BIAS的电压范围为0‑‑14.65V。
技术领域
本发明属于红外热成像技术领域,更具体地,涉及一种低噪声电压可调的装置及方法。
背景技术
红外探测器是热成像系统的核心部件,是探测、识别和分析物体红外信息的关键,在军事、工业、交通、安防监控、气象、医学等各行业具有广泛的应用。红外探测器可分为制冷型红外焦平面探测器和非制冷红外焦平面探测器,制冷型红外焦平面探测器的优势在于灵敏度高,能够分辨更细微的温度差别,探测距离较远,主要应用于高端军事装备;非制冷红外焦平面探测器无需制冷装置,能够工作在室温状态下,具有体积小、质量轻、功耗小、寿命长、成本低、启动快等优点。
由于照射到焦平面上的红外辐射所产生的信号电流非常小,一般为纳安级甚至皮安级,这种小信号对噪声很敏感,很容易受到其他噪声的干扰,因此电路上的信号噪声要控制的尽量小,以免对探测器的灵敏度造成影响,从而影响成像效果。因此给探测器提供偏置电压以及给信号提供基准源的电压噪声十分重要,其中有的探测器偏置电压需要可调,目前采用的方案是分两种情况:1、利用低噪声的基准电压源产生一个固定的低噪声电压,然后通过电阻分压的方式得到所需的偏置电压;2、若偏置电压高于已有的基准电压源的电压,则需要先通过DC/DC电源芯片将电压升高,然后再通过低噪声的低压差线性稳压器得到所需的偏置电压。如果偏置电压变化范围很大,既有高于基准电压源的电压,也有低于基准电压源的电压,那么现有方案就无法满足。
如公开号为CN101908857A的发明专利低噪声电压控制振荡电路,其在说明书的具体实施方式中的第0032段和第0086段分别提到“本发明的实施例的电压控制震荡电路具有:驱动用晶体管...振荡用晶体管...滤波器电路...缓冲放大器...”、“本发明适合于能够除去电源噪声而使低频噪声的特性良好的低噪声电压控制振荡电路”,以上可见,其电路结构相对复杂,适合于调整振荡频率的应用,即仅涉及电源噪声处理,并不涉及到低噪声电压可调。
如公开号为CN105226766A的发明专利一种低噪声偏置器,其在说明书的具体实施方式中的第0022段和第0027段分别提到“本发明的低噪声偏置器,包括充电电路、充电开关显示灯12和金属外壳”、“所述的多档位正电压组由四个镍氢电池串联而成,提供4个档位的正电压,分别为1.2V、2.4V、3.6V和4.8V”,以上可见,其低噪声电压是用于电池充电设备,且输出电压值不是连续可调。
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