[发明专利]一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法，其特征是包括以下步骤：

（1）将表面沉积了不含氧且含有高浓度掺杂原子的源层薄膜的硅片，在通有无氧气氛的高温炉中在810-1050℃温度范围进行扩散；其中，所述源层薄膜为非晶硅薄膜，所述无氧气氛为氩气与微量氢的混合气或氮气与微量氢的混合气，氢气的体积浓度≤4%；所述表面沉积了不含氧且含有高浓度掺杂原子的源层薄膜的硅片进一步包括：

对于n型单晶硅太阳电池，在做发射极的硅片表面上沉积一层重掺杂硼的非晶硅薄膜，在做背电场层的表面上沉积一层重掺杂磷的非晶硅薄膜；对于p型单晶硅太阳电池，在做发射极的硅片表面上沉积一层重掺杂磷的非晶硅薄膜；其中，所述硅片表面是进行去损失层并抛光后的；

其中，对重掺杂硼的源层沉积和扩散过程，通过调节镀膜时反应气体中硼烷的比例、薄膜的厚度、扩散过程中的温度和时间，控制掺杂层的方阻和结深；

（2）在扩散结束后将炉温降到700℃，通入氧气体积浓度2%的气氛，进行20-200min的退火处理，其中，硅片两面均有氧化层。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法，其特征是所述源层薄膜的制备，在室温下，采用等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积法或磁控溅射法。