[发明专利]一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜及其制备方法

权利要求书

1.一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的透明基底、粗糙化的石墨烯复合层、电极层和封装层，其中，

所述石墨烯复合层为通过液态胶黏剂将在粗糙化处理后的催化衬底上生长的石墨烯薄膜转移至所述透明基底上时，由所述液态胶黏剂固化而成的胶黏层和所述石墨烯薄膜形成的复合层，且所述石墨烯复合层的粗糙度为2-40μm。

2.如权利要求1所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，所述石墨烯复合层的粗糙度为2-10μm，或，所述石墨烯复合层的平均粗糙度为8μm。

3.如权利要求1所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，粗糙化的所述催化衬底是经过退火工艺和化学微刻蚀后得到的。

4.如权利要求1或2或3所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，所述红外发射膜的红外辐射面功率为1-50W/dm²，法相发射率为0.85-0.95。

5.如权利要求4所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，所述红外发射膜的红外辐射面功率为3-15W/dm²。

6.如权利要求1或2或3所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，所述封装层包括自下而上依次层叠设置的光学级胶黏层和抗划伤的加硬层。

7.如权利要求1至6中任意一项所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S11，通过高温退火法结合化学微刻蚀法粗糙化催化衬底；

S12，在粗糙化的催化衬底上采用CVD法制备石墨烯薄膜；

S13，采用液态胶黏剂将步骤S12中制备的石墨烯薄膜转移至透明基底表面，并去除生长基底；

S14，在石墨烯薄膜上布置电极层，并封装得到红外发射膜。

8.如权利要求7所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法，特征在于，所述步骤S11具体包括步骤：

在生长腔体内以50~200Pa的真空度将催化衬底加热到900~980℃，并通入保护气体，持续加热5~30min；

将所述催化衬底升温到退火温度1000~1080℃，并降低真空度至20~50Pa，持续退火1~10min；

将退火后的所述催化衬底浸入刻蚀溶液，于室温下刻蚀1~10min，然后清洗烘干得到粗糙化的生长基底。

9.如权利要求8所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为氧化性酸性水溶液。

10.如权利要求9所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法，其特征在于，所述氧化性酸性溶液为浓度为0.1~2wt%的盐酸/双氧水溶液，或硫酸/双氧水溶液，或过硫酸铵水溶液。