[发明专利]一种低扩散ArF光刻胶用高分子光敏剂PAG及其应用

权利要求书

1.一种低扩散ArF光刻胶用高分子光敏剂PAG，其特征在于：所述高分子光敏剂PAG由能够光照产酸的化合物和光敏树脂单体聚合而成，所述光敏树脂单体包括含脂环烷烃的(甲基)丙烯酸酯类化合物单体、含内酯结构的(甲基)丙烯酸酯类化合物单体和/或苯乙烯类化合物单体。

2.根据权利要求1所述的低扩散ArF光刻胶用高分子光敏剂PAG，其特征在于：所述光敏树脂单体选自以下通式中的一种或多种：

其中，R₁～R₁₆代表各自独立的取代基，R₁＝氢或甲基；优选地，R₂～R₁₅分别为氢、烷基、烷氧基或杂原子取代烷基，R₁₆＝OCOOC(CH₃)₃或OC(CH₃)₃；优选地，R₂～R₁₅＝H、-C_nH_2n+1、-C_nH_2n-1、-O-C_nH_2n+1、-O-C_nH_n+1、-C_nH_2n+1-mX_m或-C_nH_2n-1-mX_m，X＝F、Cl或Br；R₁₆为含有tBOC的取代基；更优选地，所述R₂～R₁₅若为烷基或烷氧基，则所述烷基或烷氧基中碳原子数为1～10，所述烷基为链状或环状烷基，所述烷氧基为链状或环状烷氧基。

3.根据权利要求1所述的低扩散ArF光刻胶用高分子光敏剂PAG，其特征在于：所述能够光照产酸的化合物为硫鎓盐或碘鎓盐；更优选地，所述能够光照产酸的化合物单体的化学通式如下：其中，R₁₇、R₂₁为烷基或杂原子取代烷基，R₁₈～R₂₀、R₂₂～R₂₃为各自独立的取代基，分别为烷基、芳基、杂原子取代芳基或烷氧基取代芳基；

优选地，R₁₇、R₂₁＝-C_nH_2n-、-C_nH_2n-mX_m-、-Ar-C_nH_2n-或-Ar-C_nH_2n-mX_m-；R₁₈～R₂₀＝-C_nH_2n+1、-C_nH_2n-1、-Ar、-Ar-X、-Ar-C_nH_2n+1或-Ar-C_nH_2n-1，X＝F、Cl或Br；

更优选地，所述R₁₇、R₂₁为碳原子数为1～6的链状烷基或链状杂原子取代烷基；所述R₁₈～R₂₀、R₂₂～R₂₃若为烷基，则所述烷基中碳原子数为1～12，所述烷基为链状或环状烷基；若为烷基取代芳基，则取代基中烷基中碳原子数为1～6，取代基中烷基为链状或环状烷基。

4.根据权利要求3所述的低扩散ArF光刻胶用高敏酸产生剂PAG，其特征在于：所述芳基、杂原子取代芳基或烷氧基取代芳基中的芳基为苯基、萘基或蒽基。