[发明专利]超结MOSFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201811187899.7 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109494246B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 肖晓军;周宏伟;张园园;徐永年;任文珍 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：
该方法通过对具有高深宽比超结结构的P柱进行间隔刻蚀，刻蚀后再进行N型外延，使被刻蚀的P柱浮置于Pbody下方，为上方的Pbody浓度调整及阈值电压调整提供可优化空间，减少pbody间的颈区电阻；
具体由以下步骤实现：
步骤一：在N+衬底上生长一层电阻率稍高的外延N-；
步骤二：通过Trench光刻板，刻蚀出深沟槽；
步骤三：在N-外延表面，生长P型外延，使之填充满深沟槽；
步骤四：对P柱进行间隔刻蚀，刻蚀出3μm-5μm的浅槽；
步骤五：在表面生长N型外延，使之填满浅槽，并进行CMP工艺，将深沟槽外的P型外延及N型外延一并去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；
步骤六：通过Body光刻板注入体区并退火形成body区，淀积场氧层并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P并推阱形成N-source；
步骤七：淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。
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