[发明专利]低功率芯片有效
申请号: | 201811188571.7 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN109600131B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | P·贝利 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(RD)有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 英国白*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 芯片 | ||
本公开的实施例涉及低功率芯片。一种功能电路,包括至少一个绝缘体上硅(SOI)晶体管和至少一个输出端子。偏置电路控制向功能电路供应的工作电压。偏置电路通过控制所供应的反向本体偏置电压以反向本体偏置至少一个SOI晶体管来禁用至少一个输出端子。
技术领域
本申请涉及集成电路的功耗,尤其涉及但不仅限于关闭集成电路的晶体管。
背景技术
使用集成电路的应用或设备通常提供低功率或者待机工作模式,在该工作模式下节省电量使用。集成电路设计者也在努力提供功率高效的集成电路。为了提供这样的功率节省,可以关闭当前没有使用的集成电路的一部分。
为了实现这种关闭电路的一部分的方法,创建了功率岛。功率岛是电路的一部分,可以通过移除去往该部分的电力而关闭功率岛。通常,功率岛包括执行集成电路的特定功能或者与集成电路的特定功能相关联的电路。功率岛的电路被用于移除电力的开关所包围,也被用于钳住(clamp)由功率岛输出所馈送的单元的浮空输入(因而防止漏电和不受控制的逻辑值)的隔离单元所包围。
电路的大小或者覆盖面积在集成电路的一些应用中是很重要的考虑因素。在具有省电能力的集成电路中,这些开关和隔离单元对集成电路的总覆盖面积有很大贡献。
发明内容
一种装置,包括:功能电路,该功能电路包括一个或者多个绝缘体上硅(SOI)晶体管和一个或者多个输出端子;以及偏置电路,该偏置电路被配置为控制向功能电路供应的工作电压。偏置电路可以被配置为通过控制所提供的反向本体偏置电压以反向本体偏置一个或者多个晶体管来禁用一个或多个输出端子。
绝缘体上硅晶体管可以是完全耗尽型绝缘体上硅晶体管。该装置被配置为响应于功能电路将被断电的指示而禁用输出端子。输出端子可以通过偏置电路应用反向本体偏置电压来被固定或者启用。
偏置电路可以被配置为将工作电压和反向本体偏置电压与功能电路耦合。偏置电路可以包括第一多路复用器,该第一多路复用器被配置为将工作电压和反向本体偏置电压与功能电路耦合。偏置电路可进一步包括第二多路复用器,该第二多路复用器被配置为将工作接地和反向本体偏置源接地与功能电路耦合。
第一和第二多路复用器可以是模拟多路复用器。在被反向本体偏置时的晶体管的本体泄漏电流与功能电路的功率损耗相比可以忽略不计。
另一方面针对一种集成电路,该集成电路包括上文描述的多个装置,用于为该多个装置生成工作电压的第一电压发生器,以及用于生成反向本体偏置电压以反向本体偏置该多个装置的绝缘体上硅晶体管的第二电压发生器。
另一方面针对一种方法,该方法包括通过以下来控制向包含一个或者多个绝缘体上硅晶体管和一个或者多个输出端子的功能电路提供的工作电压:通过控制所供应的反向本体偏置电压以反向本体偏置一个或者多个晶体管来禁用一个或者多个输出端子。
绝缘体上硅晶体管可以是完全耗尽型绝缘体上硅晶体管。该方法可以进一步包括响应于功能电路将被断电的指示而禁用输出端子。
该方法可以进一步包括将工作电压源和反向本体偏置电压源与所述功能电路耦合。
方法可以进一步包括由第一电压发生器生成工作电压,并且由第二电压发生器生成反向本体偏置电压。
另一方面针对一种设备,该设备包括至少一个如上文所述的集成电路。该设备可以是形成部分家庭娱乐系统的片上系统。家庭娱乐系统可以是机顶盒。
附图说明
现在参考下面的附图描述实施例,在附图中:
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