[发明专利]掩膜板、晶圆、蒸镀装置及蒸镀方法

说明书

本发明公开了一种掩膜板、晶圆、蒸镀装置及蒸镀方法。所述掩膜板包括掩膜主体以及设置在所述掩膜主体上的若干个对位柱，每个所述对位柱用于插置在待工艺的晶圆上的对位套孔内，以使得所述掩膜主体与所述晶圆对位。本发明的掩膜板，其掩膜主体上设置有若干个对位柱。每个对位柱用于插置在待工艺的晶圆上的对位套孔内，以使得掩膜主体与晶圆对位。掩膜板的结构简单，并能够有效提高对位精度。该结构的掩膜板可以使得对位精度提高到±0.5μm，从而可以减少原料浪费，降低生产成本，减少对位偏移引起的不良和缺陷，提高产品良率，并且还能够减少重复对位次数，缩短对位时间，提高产能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜板、一种晶圆、一种蒸镀装置以及一种蒸镀方法。

背景技术

一般地，有机发光二极管(OLED)技术被认为是显示和照明技术的下一代接班者，近年来得到更多的重视和研究投入。硅基OLED微显示器件是以单晶硅作为有源驱动背板而制作的主动式有机发光二极管显示器(AMOLED)。与普通的以非晶硅、微晶硅、多晶硅或氧化物薄膜晶体管为驱动背板的AMOLED显示器件相比，单晶硅背板具有更高的载流子迁移率，因此硅基OLED器件可以制备更小的像素尺寸，可以实现显示像素的精细化，像素尺寸通常在6～15μm。同时硅基OLED器件在驱动背板的制备过程中，可以使用硅基集成电路代工厂标准的CMOS工艺，因此可以在显示芯片上实现更多的功能电路的集成。基于对近眼显示的需求，目前硅基OLED微显示器件在军用和民用领域都展示了较好的应用前景。

在制备显示面板有机发光层的过程中，需要采用真空蒸镀技术制备发光层薄膜，具体地，在真空环境中加热有机材料，使得有机材料受热升华，通过具有图案的精密型金属掩膜板，在晶圆子像素对应的阳极图案上形成具有一定形状的有机薄膜。经过多种有机材料的连续沉积成膜，即可形成具有多层薄膜结构的有机发光层。目前，精密型金属掩膜板与待工艺晶圆的对位过程基本都采用光学对位，如LSA、LIA、FIA。对位过程中，为了更加容易识别晶圆上的对位标记(Mark)和掩膜板对位孔，掩膜板外缘处的对位孔(通孔)都会远大于对位标记，如对位标记大小为20μm，那么掩膜板对位孔直径就可能要大到20mm，以此来保证图像传感器对两者的识别度。一般地，掩膜板与待工艺晶圆进行对位时，对位精度通常要求控制在﹤±5μm范围内。如果以该种方法进行对位，对位精度就难于保证，尤其是更高要求的对位精度。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种掩膜板、一种晶圆、一种蒸镀装置以及一种蒸镀方法。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括掩膜主体以及设置在所述掩膜主体上的若干个对位柱，每个所述对位柱用于插置在待工艺的晶圆上的对位套孔内，以使得所述掩膜主体与所述晶圆对位。

可选地，所述掩膜主体包括交叉设置的第一掩膜条和第二掩膜条，所述对位柱设置在所述第一掩膜条和所述第二掩膜条相重叠的位置处。

可选地，所述对位柱呈锥形结构。

可选地，所述锥形结构的高度范围为1mm～2mm；和/或，所述锥形结构的大端尺寸比对应的所述对位套孔的孔径尺寸小1μm～2μm。

可选地，所述掩膜主体上还设置有若干个第一预对位标记，每个所述预对位标记用于对应所述待工艺的晶圆上的第二预对位标记，以使得所述掩膜主体与所述晶圆预对位。

本发明的第二方面，提供了一种晶圆，所述晶圆设置有若干个对位套孔，每个所述对位套孔用于容置掩膜板上的对位柱，以使得所述晶圆与所述掩膜板对位。

本发明的第三方面，提供了一种蒸镀装置，包括蒸镀腔以及设置在所述蒸镀腔内的掩膜板，所述掩膜板包括前文记载的所述的掩膜板。

可选地，所述蒸镀装置还包括：

支撑平台，设置在所述蒸镀腔内，所述支撑平台用于承载所述掩膜板和所述待工艺晶圆；