[发明专利]R－T－B系烧结磁体及其制造方法

权利要求书

1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：

准备R1－T1－B系烧结体的工序；

准备R2－Si系合金的工序；和

使所述R2－Si系合金中的至少一部分与所述R1－T1－B系烧结体的表面中的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中，以450℃以上1100℃以下的温度实施热处理的工序，

在所述R1－T1－B系烧结体中，

R1为稀土元素中的至少一种，必须包含Nd和Pr中的至少一种，R1的含量为R1－T1－B系烧结体整体的27质量％以上35质量％以下，

T1为Fe、或者Co、Al、Mn、Si中的至少一种和Fe，Fe相对于T1整体的含量为80质量％以上，

T1相对于B的摩尔比[T1]/[B]为超过14.0且15.0以下，

在所述R2－Si系合金中，

R2为稀土元素中的至少一种，R2为Pr，R2包括杂质，R2的含量为R2－Si系合金整体的74.4质量％以上96.6质量％以下，且Pr相对于稀土元素整体的比率高于R1－T1―B系烧结体的Pr相对于稀土元素整体的比率，

Si的含量为R2－Si系合金整体的0.7质量％以上14.0质量％以下，

通过所述热处理，R2－Si系合金中的Pr和Si从R1－T1－B系烧结体表面扩散导入到内部，在所得到的R－T－B系烧结磁体内部产生Pr和Si的浓度梯度，

所得到的R－T－B系烧结磁体中，Pr的浓度在磁体表面部比磁体中央部高2.0质量％以上，

Si的浓度在磁体表面部比磁体中央部高0.1质量％以上。

2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述R2－Si系合金中的Pr为R2整体的50质量％以上。

3.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述R2－Si系合金含有Cu，Cu的含量为R2－Si系合金整体的0.1质量％以上24.1质量％以下。

4.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

在将所述R1－T1－B系烧结体中的[Pr]/[R1]设为α、将R2－Si系合金中的[Pr]/[R2]设为β时，β/α≥1.2。

5.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述R2－Si系合金中的R2和Si的合计含量为80质量％以上。

6.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

准备所述R1－T1－B系烧结体的工序包括如下步骤：将原料合金粉碎到粒径D₅₀为3μm以上10μm以下后，使其在磁场中取向，并进行烧结。

7.一种R－T－B系烧结磁体，其特征在于，含有：

R3：27质量％以上38质量％以下，其中，R3为稀土元素中的至少一种，R3整体的50质量％以上为Nd，必须包含Pr；

X：0.85质量％以上0.93质量％以下，其中，X为B和C中的至少一种，必须包含B；

Si：0.1质量％以上2.0质量％以下；

T2：61.0质量％以上，其中，T2为过渡金属元素中的至少一种，T2整体的90质量％以上为Fe，

T2相对于X的摩尔比[T2]/[X]为13.0以上，

Pr的浓度在磁体表面部比磁体中央部高2.0质量％以上，

Si的浓度在磁体表面部比磁体中央部高0.1质量％以上，

所述R－T－B系烧结磁体含有R4－T3－A化合物，其中，R4为稀土元素中的至少一种，R4整体的50质量％以上为Pr，T3为Fe、Co、Ni、Mn、Ti、Cr中的至少一种，T3整体的50质量％以上为Fe，A为Zn、Cu、Ga、Al、Ge、Si中的至少一种，A必须包含Si。

8.如权利要求7所述的R－T－B系烧结磁体，其特征在于：

所述R－T－B系烧结磁体含有Cu，Cu的浓度在磁体表面部高于磁体中央部。