[发明专利]同步实现线性稳压与双电压域基准电流源的电路及方法

权利要求书

1.一种同步实现线性稳压与双电压域基准电流源的电路，其特征在于：包括启动电路、带隙基准电路、双电压域基准电流源转化电路和误差放大器，所述启动电路的输出端连接带隙基准电路的输入端，所述带隙基准电路的输出端连接双电压域基准电流源转化电路的输入端，所述双电压域基准电流源转化电路的输出端连接误差放大器的输入端。

2.根据权利要求1所述的一种同步实现线性稳压与双电压域基准电流源的电路，其特征在于：所述启动电路包括第一5V的P型MOS管、第一5V的N型MOS管、第二5V的N型MOS管以及第七电阻，所述第七电阻的一端连接高电压域，所述第七电阻的另一端连接第一5V的P型MOS管的源极，所述第一5V的P型MOS管的栅极连接第二5V的N型MOS管的栅极和带隙基准电路的输入端，所述第一5V的P型MOS管的漏极连接第一5V的N型MOS管的栅极和第二5V的N型MOS管的漏极，所述第一5V的N型MOS管的源极接地，所述第一5V的N型MOS管的漏极连接带隙基准电路的输入端。

3.根据权利要求2所述的一种同步实现线性稳压与双电压域基准电流源的电路，其特征在于：所述带隙基准电路包括第二5V的P型MOS管、第三5V的P型MOS管、第四5V的P型MOS管、第六5V的P型MOS管、第七5V的P型MOS管、第五5V的N型MOS管、第六5V的N型MOS管、第七5V的N型MOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述第二5V的P型MOS管的栅极、第三5V的P型MOS管的栅极、第四5V的P型MOS管的栅极、第五5V的P型MOS管的栅极和第六5V的P型MOS管的漏极均与第一5V的N型MOS管的漏极连接，所述第一电阻的一端分别连接第二5V的P型MOS管的漏极和第一三极管的发射极，所述第一电阻的另一端、第一三极管的基极、第二三极管的基极、第一三极管的集电极和第二三极管的集电极都接地，所述第二5V的P型MOS管的漏极与第一三极管的发射极连接，所述第二电阻的一端连接第三5V的P型MOS管的漏极，所述第二电阻的另一端连接第二三极管的发射极，所述第三电阻的一端连接第三5V的P型MOS管的漏极，所述第三电阻的另一端接地，所述第四电阻的一端连接第四5V的P型MOS管的漏极，所述第四电阻的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的一种同步实现线性稳压与双电压域基准电流源的电路，其特征在于：所述第六5V的P型MOS管、第七5V的P型MOS管、第五5V的N型MOS管、第六5V的N型MOS管和第七5V的N型MOS管组成一级运算放大器，所述第五5V的N型MOS管的栅极连接高电压域，所述一级运算放大器的输出端分别连接第二5V的P型MOS管的栅极、第三5V的P型MOS管的栅极、第四5V的P型MOS管的栅极以及第五5V的P型MOS管的栅极。

5.根据权利要求3所述的一种同步实现线性稳压与双电压域基准电流源的电路，其特征在于：所述第一三极管、第二三极管和第二电阻组成第一电流产生器；所述第一电流产生器的基准电压与绝对温度成正比；所述第一三极管、第二三极管、第二电阻、第一电阻和第三电阻组成第二电流产生器，所述第二电流产生器的基准电压与绝对温度互补。

6.根据权利要求4所述的一种同步实现线性稳压与双电压域基准电流源的电路，其特征在于：所述双电压域基准电流源转化电路包括第五5V的P型MOS管、第三5V的N型MOS管、第四5V的N型MOS管、第一18V的P型MOS管、第二18V的P型MOS管、第三18V的P型MOS管和第一18V的N型MOS管；

所述第五5VP型MOS管的栅极分别连接第二5VP型MOS管的栅极、第三5VP型MOS管的栅极和第四5VP型MOS管的栅极，所述第五5VP型MOS管的漏极连接高电压域，所述第五5VP型MOS管、第二5VP型MOS管、第三5VP型MOS管和第四5VP型MOS管组成第一电流镜；

所述第四5V的N型MOS管的栅极连接第三5V的N型MOS管的栅极，所述第四5V的N型MOS管的源极和第三5V的N型MOS管的源极均接地，所述第四5V的N型MOS管和第三5V的N型MOS管组成第二电流镜；

所述第一18V的P型MOS管、第二18V的P型MOS管和第一18V的N型MOS管组成第三电流镜。