[发明专利]一种射频功率放大器及其匹配强化滤波架构在审
| 申请号： | 201811189567.2 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN108964621A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 赵罡;龙华 | 申请（专利权）人： | 深圳飞骧科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56;H03F3/24 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 王月春;武玉琴 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一端连接 陷波电路 射频功率放大器 带通电路 带阻电路 输入电感 架构 电源地 滤波 匹配 射频信号输出端 射频信号输入端 功率放大器 谐波抑制 半波 内插 | ||
1.一种射频功率放大器的匹配强化滤波架构，包括：
输入电感，一端连接射频信号输入端；
第一陷波电路，一端连接所述输入电感的另一端和带阻电路的一端，另一端连接电源地；
所述带阻电路，另一端连接第二陷波电路的一端和带通电路的一端；
所述第二陷波电路，另一端连接所述电源地；
带通电路，另一端连接射频信号输出端。
2.根据权利要求1所述的架构，其中，所述第一陷波电路包括串联的第二电容、第二电感。
3.根据权利要求2所述的架构，其中，所述带阻电路包括并联的第三电容、第三电感。
4.根据权利要求3所述的架构，其中，所述第二陷波电路包括串联的第四电容、第四电感。
5.根据权利要求4所述的架构，其中，所述带通电路包括串联的第五电感、第五电容。
6.根据权利要求5所述的架构，其中，所述输入电感、第二电容、第二电感、第三电感、第三电容、第四电容、第四电感匹配所述射频信号输出端阻抗到50欧姆。
7.根据权利要求1所述的架构，其中，所述第一陷波电路和所述第二陷波电路频率不同。
8.根据权利要求1所述的架构，其中，所述带通电路谐振在主频率。
9.根据权利要求1所述的架构，其中，所述架构在1.4GHz-3.8GHz频率提供超过50dbc的谐波抑制，在350MHz-450MHz频率提供超过10dbc的半波抑制；所述架构的带内插损小于1.7db。
10.一种射频功率放大器，包括所述权利要求1至9任一项所述的一种射频功率放大器的匹配强化滤波架构。
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