[发明专利]一种用于小型化ODU发射通道的本振电路

权利要求书

1.一种用于小型化ODU发射通道的本振电路，其特征在于，包括依次串接的频率合成器、倍频器、本振放大器和本振滤波器，所述频率合成器的第一参考源输入端用于与外部参考源电连接，所述外部参考源通过所述第一参考源输入端向所述频率合成器输入参考频率信号，所述频率合成器的数控接口对应电连接单片机，所述单片机通过所述数控接口向所述频率合成器输入频率控制参数，所述倍频器对所述频率合成器输出的信号进行二倍频产生所需频率的本振信号，然后由本振放大器对本振信号进行功率放大，再由所述本振滤波器对所述本振信号中的基波和三次谐波进行抑制滤波。

2.根据权利要求1所述的用于小型化ODU发射通道的本振电路，其特征在于，所述频率合成器包括芯片ADF4355，所述频率合成器的第一参考源输入端对应为所述芯片ADF4355的REFINA端，所述频率合成器的数控接口对应为所述芯片ADF4355的SPI接口，所述SPI接口对应包括使能端、数据端和时钟端。

3.根据权利要求2所述的用于小型化ODU发射通道的本振电路，其特征在于，在所述芯片ADF4355的CPOUT端与VTUNE端之间设置有环路滤波器，所述环路滤波器对应包括在所述CPOUT端与VTUNE端之间串联的第一滤波电阻，在所述CPOUT端并联有第一滤波电容和第二滤波电容，所述第一滤波电容的另一端接地，所述第二滤波电容的另一端串接有第二滤波电阻，所述第二滤波电阻的另一端接地，所述VTUNE端并联有第三滤波电容，所述第三滤波电容的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的用于小型化ODU发射通道的本振电路，其特征在于，所述单片机是芯片ATTINY9，所述芯片ADF4355的SPI接口的使能端、数据端和时钟端对应为LE端、DATA端和CLK端，又对应与所述芯片ATTINY9对应的LE引脚、DATA引脚和CLK引脚分别通过串接接口电阻后对应电连接。

5.根据权利要求4所述的用于小型化ODU发射通道的本振电路，其特征在于，所述倍频器包括芯片HMC369，并且在所述芯片ADF4355的RFOUTA+端与所述芯片HMC369的RFin端之间还设置有匹配衰减器。

6.根据权利要求5所述的用于小型化ODU发射通道的本振电路，其特征在于，所述本振放大器包括芯片CHA3666。

7.根据权利要求6所述的用于小型化ODU发射通道的本振电路，其特征在于，所述芯片CHA3666的射频输入端电连接匹配衰减芯片TGL4201的输出端，所述匹配衰减芯片TGL4201的输入端通过金带连接所述芯片HMC369的输出端口，所述芯片CHA3666的射频输出端通过另一金带连接所述本振滤波器的输入端。

8.根据权利要求7所述的用于小型化ODU发射通道的本振电路，其特征在于，所述本振滤波器为微带滤波器。

9.根据权利要求8所述的用于小型化ODU发射通道的本振电路，其特征在于，所述微带滤波器包括设置在陶瓷基板上的7个U型的微波金属带，所述微波金属带依次间隔排列且呈中心对称分布，其中第一微波金属带开口向上且位于对称中心，所述第二微波金属带和第三微波金属带均开口向下，分别位于所述第一微波金属带的左侧和右侧，第四微波金属带开口向上且位于所述第二微波金属带的左侧，第五微波金属带开口向上且位于所述第三微波金属带的右侧，第六微波金属带开口向下且位于所述第四微波金属带的左侧，所述第六微波金属带的左分支上横向延伸为第一端口，第七微波金属带开口向下且位于所述第五微波金属带的右侧，所述第七微波金属带的右分支上横向延伸为第二端口。

10.根据权利要求9所述的用于小型化ODU发射通道的本振电路，其特征在于，所述外部参考源向所述芯片ADF4355输入的参考频率信号为10MHz信号，所述芯片ADF4355的输出频率是6.4GHz，所述芯片HMC369的输出频率是12.8GHz。