[发明专利]一种宽频段复合隔磁片及其制备方法

权利要求书

1.一种宽频段复合隔磁片，其特征在于：

具有纳米晶薄片与Y₂Co_17-xM_x薄片多层交替结构，其中M=Cu、Ni、Mn、Fe，0.1≤x≤2；

以及层与层之间通过双面胶粘连；

所述隔磁片截止频率高于8GHz，起始磁导率大于20；

所述纳米晶薄片通过快淬法制的；

所述Y₂Co_17-xM_x薄片通过轧制或者快淬法制的；

所述的多层交替结构中，层数不少于3层，且最外侧两层为Y₂Co_17-xM_x薄片；

所述宽频段复合隔磁片应用于无线充电接收端。

2.根据权利要求1所述的一种宽频段复合隔磁片，其特征在于：双面胶厚度为2-5μm；纳米晶薄片单层厚度为15-22μm；Y₂Co_17-xM_x薄片单层厚度为10-25μm。

3.一种如权利要求1-2之一所述宽频段复合隔磁片的制备方法，其特征在于其步骤包括：

1）纳米晶薄片的制备，采用快淬法，制备纳米晶薄片；

2）Y₂Co_17-xM_x薄片的制备，先将Y、Co、M（M=Cu、Ni、Mn、Fe）按照配比熔炼成母合金，在保护气氛下进行均化处理，然后通过轧制或者快淬法制备Y₂Co_17-xM_x薄片；

3）复合隔磁片的制备，将纳米晶薄片和Y₂Co_17-xM_x薄片通过超薄双面胶贴合成多层交替结构，然后碎片。

4.根据权利要求3所述的一种宽频段复合隔磁片的制备方法，其特征在于：所述保护气氛为氮气、氩气或者真空度大于10^-6torr。

5.根据权利要求3所述的一种宽频段复合隔磁片的制备方法，其特征在于：所述的均化处理温度为700-1000℃，时间为96-240h。