[发明专利]一种集成磁结构

权利要求书

1.一种磁传感器，包括集成在限定了平面的基底(100)上的至少三个磁通集中器部分(103、104、105、403、404、405、406、801、802、803、811、812、813、1100、1110)，所述至少三个磁通集中器部分中的每一个磁通集中器部分都与其他磁通集中器部分中的至少一个磁通集中器部分相邻，并被一个或多个第一间隙(106、107、108、814、815、1103、1104、1114)分隔开；所述磁传感器至少包括第一磁感测元件(101、901、1101)并至少包括第二磁感测元件(102、902、1102)，其中，所述第一磁感测元件定位为用于测量第一磁通集中器部分(104、403、801、811)与第二磁通集中器部分(103、403、802、812)之间的所述一个或多个第一间隙中的一个(106、903、913、1103、1113)内或第一磁通集中器部分(104、403、801、811)与第二磁通集中器部分(103、403、802、812)之间的所述一个或多个第一间隙中的一个(106、903、913、1103、1113)附近的磁通密度，所述第二磁感测元件定位为用于测量所述第一磁通集中器部分(104、403、801、811)与第三磁通集中器部分(105、405、803、813)之间的所述一个或多个第一间隙中的一个(107、904、914、1104、1114)内或所述第一磁通集中器部分(104、403、801、811)与第三磁通集中器部分(105、405、803、813)之间的所述一个或多个第一间隙中的一个(107、904、914、1104、1114)附近的磁通密度；其中，所述磁传感器进一步包括布置成用于测量与所述基底(100)垂直的方向上的磁场的变化的进一步的磁感测元件(701、702、711、712、1105、1106)，其中

一个或多个进一步的磁感测元件被布置在所述磁通集中器 部分的外部边界处或外部，或者被布置在一个或多个进一步的间隙内，所述一个或多个进一步的间隙比所述一个或多个第一间隙宽。

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁通集中器部分的形状以及所述磁通集中器部分之间的间隙的形状与宽度适配成引导所述磁通集中器部分内的外部磁场的磁场线(200)，使得所述磁感测元件处的磁场代表所述外部磁场的方向与强度。

3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁感测元件对所述平面中相同方向上的磁场是灵敏的。

4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述第一磁通集中器部分、所述第二磁通集中器部分以及所述第三磁通集中器部分为三角形布置。

5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，第一间隙包括具有截面的至少一个边界(905、915)，第二间隙包括具有不同截面的至少一个边界(906、916)，其中，至少两个边界彼此平行，并且其中，所述磁感测元件(901、902)布置为最接近平行的边界。

6.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁传感器确切地包括三个磁通集中器部分。

7.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁传感器包括四个磁通集中器部分，第四磁通集中器部分通过最小宽度小于所述第四磁通集中器部分与所述第一磁通集中器部分之间的间隙的最小宽度的间隙来与所述第二磁通集中器部分并与所述第三磁通集中器部分隔开。

8.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，包括两个正交对称的轴线。

9.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁传感器具有简单的轴对称性，或者其中，所述至少三个磁通集中器部分的配置具有简单的轴对称性。

10.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，进一步包括冗余的磁感测元件(401、402)。

11.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁感测元件配置为平衡电桥传感器。