[发明专利]一种MPCVD设备基片台控温装置及方法

权利要求书

1.一种MPCVD设备基片台控温装置，其特征在于包括位于中心的圆形基片台和多个环形基片台，所述的多个环形基片台套在圆形基片台外围，每个基片台配置单独的冷却介质冷却流道。

2.根据权利要求1所述的基片台控温装置，所述圆形基片台和多个环形基片台间具有相同的中心轴，相邻基片台的间隔距离为1mm-10mm。

3.根据权利要求1所述的基片台控温装置，所述冷却流道可通过控制通入冷却介质的种类、流速、流量，控制基片台的冷却速度。

4.根据权利要求1所述的基片台控温装置，还包括气体源，所述气体源中的气体可通入所述冷却流道中。

5.根据权利要求1所述的基片台控温装置，其特征在于所述每个基片台配置单独的冷却流道具体为：所述环形基片台冷却流道沿环形基片台环绕一周，圆形基片台冷却流道为常规冷却流道。

6.根据权利要求1所述的基片台控温装置，其特征在于所述圆形基片台和多个同心环形基片台上表面，放置带有开孔的钼片，开孔的大小和位置与沉积过程中放置在基片台上的金刚石籽晶对应，所述圆形基片台和多个同心环形基片台间的缝隙被钼片罩住。

7.根据权利要求1所述的基片台控温装置，其特征在于所述圆形基片台和多个同心环形基片台上表面齐平。

8.根据权利要求6所述的基片台控温装置，其特征在于所述钼片厚度为0.5mm-1.5mm。

9.根据权利要求2所述的基片台控温装置，其特征在于所述相邻基片台的间隔距离为2mm-5mm。

10.基于一种MPCVD设备基片台控温装置的控温方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、安装所述MPCVD设备基片台控温装置；

步骤2、启动所述MPCVD设备开始生产制备金刚石，同时开启MPCVD设备基片台控温装置；

步骤3、通过采用调节冷却流道中冷却介质种类、流速、流量、混入冷却介质中气体的流量这四种手段中的一种或多种，控制散热，调控金刚石表面温度。