[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、凸立于所述衬底上分立的鳍部；

形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分顶壁和部分侧壁，所述伪栅结构包括第一伪栅层和位于所述第一伪栅层上的第二伪栅层，所述第一伪栅层的宽度从下往上渐宽，所述第二伪栅层的侧壁与所述衬底顶面垂直，所述第二伪栅层底面低于所述鳍部的顶壁，或者与所述鳍部的顶壁齐平；

在所述伪栅结构两侧的所述鳍部中形成源漏掺杂层；

在所述源漏掺杂层上形成介质层，所述介质层暴露出所述伪栅结构顶部；

去除所述伪栅结构，在所述介质层内形成开口；

形成填充满所述开口的金属栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅结构的形成步骤包括：

形成覆盖所述鳍部的第一伪栅材料层和位于所述第一伪栅材料层上的第二伪栅材料层；

图形化所述第一伪栅材料层和第二伪栅材料层，形成过渡第一伪栅层和位于所述过渡第一伪栅层上的第二伪栅层，所述过渡第一伪栅层的侧壁与所述鳍部顶面垂直；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述过渡第一伪栅层的侧壁，形成第一伪栅层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅层的材料为锗化硅，所述第二伪栅层的材料为硅；所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为四甲基氢氧化铵溶液。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅结构的形成步骤包括：

形成覆盖所述鳍部的第一伪栅材料层和位于所述第一伪栅材料层上的第二伪栅材料层；

图形化所述第二伪栅材料层，形成第二伪栅层；

刻蚀所述第二伪栅层露出的所述第一伪栅材料层，形成第一伪栅层。

5.如权利要求2或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一伪栅材料层的步骤包括：形成覆盖所述鳍部的第一栅极膜；对所述第一栅极膜进行平坦化处理；回刻蚀部分厚度的所述第一栅极膜，使得剩余第一栅极膜顶部与鳍部顶壁齐平或者低于所述鳍部顶壁，形成第一伪栅材料层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一栅极膜的步骤包括：采用化学气相沉积工艺多次沉积，形成所述第一栅极膜。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的步骤中，每次的沉积厚度为1纳米至2纳米。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极膜的材料为锗化硅，所述化学气相沉积工艺的步骤中，后一次沉积中锗离子占比低于前一次沉积中锗离子的占比。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅层的材料为锗化硅，所述第一伪栅层中锗离子的占比从下往上依次降低。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅层中锗离子的摩尔体积百分比为20％至80％。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅层的侧壁与所述衬底顶面的夹角为α，80°≤α＜90°。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿垂直于所述第二伪栅层侧壁的方向，所述第二伪栅层的宽度与所述第一伪栅层的顶面的宽度相同。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二伪栅层的材料为硅、氧化硅或氮氧化硅。