[发明专利]一种低成本电化学沉积制备稀土金属铽薄膜的方法有效
| 申请号： | 201811192282.4 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109338423B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 石忠宁;张保国;姚宇;胡宪伟;高炳亮;王兆文 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C25D3/54 | 分类号： | C25D3/54;C25C1/22 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 李娜;李馨 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 电化学 沉积 制备 稀土金属 薄膜 方法 | ||
1.一种低成本电化学沉积制备稀土金属铽薄膜的方法，其特征在于：所述方法为电沉积法，包括下述工艺步骤：
S1，室温下，将硝酸锂溶解于DMI中，硝酸锂在DMI中的摩尔浓度为0.01～0.1mol/L，得硝酸锂的DMI电解液，所述的DMI为结构式如下：
S2，将硝酸锂的DMI电解液置于电解槽中，再向其中加入无水氯化铽，在电解槽内搅拌混合，使之形成均一体系，其中氯化铽摩尔浓度为0.01～0.05mol/L，控制整个体系温度在25～80℃，电解电压范围-2.0～-2.4V vs Ag；
S3，电沉积过程中，每隔一段时间向电解槽内补加无水氯化铽，控制氯化铽摩尔浓度为起始浓度±2％。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S1中，硝酸锂在DMI中的摩尔浓度为0.02～0.1mol/L。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S2中，氯化铽摩尔浓度为0.02～0.05mol/L。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S3，每隔30min向电解槽内补加无水氯化铽，控制氯化铽摩尔浓度为起始浓度±2％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法包括步骤S4，每隔60min将阴极基底上形成的金属铽薄膜连带基底材料装入装有碳酸二甲酯或者煤油的封闭器皿中。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述电沉积过程以高纯钨片为阳极，以纯铜片或纯铝片为阴极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述阳极和阴极之间的极间距为15mm。
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