[发明专利]体声波结构、体声波装置及其制造方法

权利要求书

1.一种体声波结构，其特征在于，包括：

单晶压电材料层，具有相对的第一表面与第二表面；

第一电极，设置于所述单晶压电材料层的所述第一表面；

第二电极，设置于所述单晶压电材料层的所述第二表面，其中所述第二电极的面积大于或等于所述单晶压电材料层的所述第二表面的面积，且所述单晶压电材料层与所述第二电极的接触面积等于所述单晶压电材料层的所述第二表面的所述面积；以及

第一声波反射器，设置于所述第一电极的表面

所述体声波结构不包含基板。

2.如权利要求1所述的体声波结构，其特征在于，还包括第二声波反射器，设置于所述第二电极的表面。

3.如权利要求2所述的体声波结构，其特征在于，其中所述第一声波反射器与所述第二声波反射器各自包含交互堆叠的多数个第一次层以及多数个第二次层，所述第一次层与所述第二次层分别为阻抗(Z)不同的材料。

4.如权利要求1所述的体声波结构，其特征在于，其中所述单晶压电材料层的材料包括氮化铝、LiTaO₃、LiNbO₃、石英或钻石。

5.一种体声波装置，其特征在于，包括：

至少一个如权利要求1～4中任一项所述的体声波结构；

多数个凸块，设置于所述体声波结构之下，并分别电性连接所述体声波结构的所述第一电极与所述第二电极；

承载器，借由所述凸块分别电性连接至所述第一电极与所述第二电极；以及

封装体，位于所述承载器上并包覆所述体声波结构。

6.如权利要求5所述的体声波装置，其特征在于，其中所述体声波结构为多个彼此串接的体声波结构。

7.如权利要求5所述的体声波装置，其特征在于，其中所述承载器与所述体声波结构之间具有间隙。

8.如权利要求7所述的体声波装置，其特征在于，其中所述封装体填满所述间隙。

9.如权利要求7所述的体声波装置，其特征在于，其中所述封装体未填满所述间隙。

10.如权利要求5所述的体声波装置，其特征在于，其中所述承载器包括导线架、基板或印刷电路板。

11.一种体声波结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供单晶基板；

于所述单晶基板上形成单晶压电材料层，其中所述单晶压电材料层具有相对的第一表面与第二表面，且所述第二表面与所述单晶基板直接接触；

于所述单晶压电材料层的所述第一表面形成第一电极；

于所述第一电极的表面形成第一声波反射器；

移除所述单晶基板；以及

于所述单晶压电材料层的所述第二表面形成第二电极，其中所述第二电极的面积大于或等于所述单晶压电材料层的所述第二表面的面积，且所述单晶压电材料层与所述第二电极的接触面积等于所述单晶压电材料层的所述第二表面的所述面积。

12.如权利要求11所述的体声波结构的制造方法，其特征在于，其中所述单晶基板与所述单晶压电材料层的蚀刻选择比大于10:1。

13.如权利要求11所述的体声波结构的制造方法，其特征在于，其中所述单晶基板的材料包括氧化锌、碳化硅或硅。

14.如权利要求11所述的体声波结构的制造方法，其特征在于，其中所述单晶压电材料层的材料包括氮化铝、LiTaO₃、LiNbO₃、石英或钻石。

15.如权利要求11所述的体声波结构的制造方法，其特征在于，其中形成所述第二电极之后，还包括于所述第二电极的表面形成第二声波反射器。