[发明专利]用于解决电迁移的布局构造

说明书

本发明涉及用于解决电迁移的布局构造。具有各自具有PMOS漏极的多个PMOS晶体管以及各自具有NMOS漏极的多个NMOS晶体管的CMOS器件包括一互连级上的在长度方向上延伸以将PMOS漏极连接在一起的第一互连。该互连级上的第二互连在长度方向上延伸以将NMOS漏极连接在一起。至少一个附加互连级上的一互连集合将第一互连和第二互连耦合在一起。该互连级上的第三互连垂直于长度方向延伸并且偏离该互连集合以将第一互连和第二互连连接在一起。

本申请是国际申请号为PCT/US2014/052015，国际申请日为2014年8月21日，进入中国国家阶段的申请号为201480046244.1，名称为“用于解决电迁移的布局构造”的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年8月23日提交的题为“LAYOUT CONSTRUCTION FORADDRESSING ELECTROMIGRATION(用于解决电迁移的布局构造)”的美国非临时申请S/N.13/975,185的优先权，其通过援引全部明确纳入于此。

背景

领域

本公开一般涉及布局构造，尤其涉及用于解决互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中的电迁移(EM)的布局构造。

背景技术

EM是由于导电电子与漫射金属原子之间的动量转移通过导体中的离子的逐步移动而导致的材料运送。EM可导致连接的最终丢失或者集成电路(IC)的故障，并因此降低IC的可靠性。因此，需要布置CMOS器件以用于解决EM的方法。此外，需要具有用于解决EM的布局构造的CMOS器件。

概述

在本公开的一方面，提供了一种CMOS器件，该CMOS器件包括各自具有p型金属氧化物半导体(PMOS)漏极的多个PMOS晶体管以及各自具有n型金属氧化物半导体(NMOS)漏极的多个NMOS晶体管。CMOS器件包括一互连级上的将PMOS漏极的第一子集连接在一起的第一互连。CMOS器件进一步包括该互连级上的将PMOS漏极的第二子集连接在一起的第二互连。PMOS漏极的第二子集不同于PMOS漏极的第一子集。第一互连和第二互连在该互连级上断开连接。该CMOS器件在该互连级上还包括将NMOS漏极的第一子集连接在一起的第三互连。该CMOS器件在该互连级上还包括将NMOS漏极的第二子集连接在一起的第四互连。NMOS漏极的第二子集不同于NMOS漏极的第一子集。第三互连和第四互连在该互连级上断开连接。第一互连、第二互连、第三互连和第四互连通过至少一个其它互连级耦合在一起。

在本公开的一方面，提供了一种布置CMOS器件的方法，该CMOS器件包括各自具有PMOS漏极的多个PMOS晶体管以及各自具有NMOS漏极的多个NMOS晶体管。PMOS漏极的第一子集在一互连级上与第一互连互连。PMOS漏极的第二子集在该互连级上与第二互连互连。PMOS漏极的第二子集在该互连级上与PMOS漏极的第一子集断开连接。NMOS漏极的第一子集在该互连级上与第三互连互连。NMOS漏极的第二子集在该互连级上与第四互连互连。NMOS漏极的第二子集在该互连级上与NMOS漏极的第一子集断开连接。第一互连、第二互连、第三互连和第四互连通过至少一个其它互连级耦合在一起。