[发明专利]半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括：

在基底的芯片区与切割区上形成介电层，其中所述切割区围绕所述芯片区；

在所述介电层中形成第一金属图案，其中所述第一金属图案在所述芯片区与所述切割区内具有相同的高度；

在所述介电层与所述第一金属图案上形成金属材料层，其中所述金属材料层完整覆盖所述介电层与所述第一金属图案；

图案化所述金属材料层，以移除所述金属材料层的位于所述切割区内的实质上所有部分以及位于所述芯片区内的一部分，从而形成位于所述芯片区内的第二金属图案；

形成第三金属图案，其中所述第三金属图案的第一部分覆盖所述芯片区内的所述第二金属图案，所述第三金属图案的第二部分位于所述切割区内的所述第一金属图案上，且所述第一部分的底面高于所述第二部分的底面；以及

沿所述切割区进行单体化，以形成所述半导体芯片，

其中图案化所述金属材料层包括使用两个不同的光罩而对形成于所述金属材料层上的光致抗蚀剂层所进行的两次曝光，且包括对所述金属材料层所进行的单次移除。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，图案化所述金属材料层的方法包括：

在金属材料层上形成光致抗蚀剂层；

对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光，以使所述光致抗蚀剂层具有第一可溶区，其中所述第一可溶区的分布范围交叠于所述芯片区与所述切割区；

对所述光致抗蚀剂层进行第二曝光，以使所述光致抗蚀剂层还具有第二可溶区，其中所述第二可溶区位于所述切割区内；

进行显影，以移除所述光致抗蚀剂层的所述第一可溶区与所述第二可溶区，以暴露出所述金属材料层；

以所述光致抗蚀剂层的残留部分为遮罩移除所述金属材料层的暴露部分，以形成所述第二金属图案；以及

移除所述光致抗蚀剂层的所述残留部分。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述光致抗蚀剂层包括正型光致抗蚀剂材料。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述第一可溶区不与所述第二可溶区交叠。

5.根据权利要求2所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述第二可溶区的分布范围不与所述芯片区交叠。

6.根据权利要求2所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述切割区的面积实质上等于所述第一可溶区的位于所述切割区内的部分的面积与所述第二可溶区的面积的总和。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述第三金属图案的所述第一部分电性连接所述芯片区内的所述第二金属图案。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，进行所述单体化的方法包括等离子体切割制程。

9.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述第二金属图案的材料包括铝。

10.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述第一金属图案与所述第三金属图案的材料包括钨。

11.根据权利要求2所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，还包括重复进行多次所述形成所述金属材料层的步骤以及所述图案化所述金属材料层的步骤，其中所述多次第二曝光使用同一光罩。