[发明专利]一种无机非铅铯铋卤Cs3

权利要求书

1.一种无机非铅铯铋卤Cs₃Bi₂X₉钙钛矿微米盘的合成方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)对衬底进行清洗处理；

(2)按照3:2的摩尔比例配制CsX和BiX₃的混合粉末，X＝Cl、Br或I；

(3)将清洗好的衬底和配制好的混合粉末放入双温区水平管式炉中：将清洗好的衬底放入水平管式炉低温区的陶瓷舟上，配制好的混合粉末放入水平管式炉高温区的陶瓷舟上，水平管式炉的高温区和低温区的距离为20cm；

(4)设定水平管式炉的温度、保温时间和压强：设定水平管式炉高温区和低温区的温度和保温时间，高温区的温度为580～620℃，低温区的温度为350～400℃，高温区和低温区的保温时间均为30分钟；

(5)通入高纯氩气作为载气，制得Cs₃Bi₂X₉钙钛矿微米盘。

2.根据权利要求1所述的一种无机非铅铯铋卤Cs₃Bi₂X₉钙钛矿微米盘的合成方法，其特征在于：步骤(1)中，将衬底分别在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗10分钟，然后用高纯氮气吹干。

3.根据权利要求1所述的一种无机非铅铯铋卤Cs₃Bi₂X₉钙钛矿微米盘的合成方法，其特征在于：步骤(5)中，通入高纯氩气作为载气，高纯氩气流量设定为100sccm，通过调节水平管式炉内的气体抽速控制炉内的压强，实现无机非铅铯铋卤Cs₃Bi₂X₉钙钛矿微米盘的可控生长。

4.根据权利要求1所述的一种无机非铅铯铋卤Cs₃Bi₂X₉钙钛矿微米盘的合成方法，其特征在于：步骤(4)中，Cs₃Bi₂Cl₉：高温区温度为580℃，低温区温度为350℃；Cs₃Bi₂Br₉：高温区温度为600℃，低温区温度为370℃；Cs₃Bi₂I₉：高温区温度为620℃，低温区温度为400℃。

5.根据权利要求1所述的一种无机非铅铯铋卤Cs₃Bi₂X₉钙钛矿微米盘的合成方法，其特征在于：步骤(5)中，控制水平管式炉内的压强，Cs₃Bi₂Cl₉：150托；Cs₃Bi₂Br₉：200托；Cs₃Bi₂I₉：180托。

6.一种无机非铅铯铋卤Cs₃Bi₂X₉钙钛矿微米盘，其特征在于：采用权利要求1-5之一所述的合成方法制备。