[发明专利]Flash器件及其制备方法

权利要求书

1.一种Flash器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底上形成有浮栅多晶层、浮栅氧化层以及隧穿氧化层；所述浮栅多晶层形成于所述衬底上，所述浮栅氧化层形成于所述衬底与浮栅多晶层之间，所述衬底上以及所述浮栅多晶层上形成连续的所述隧穿氧化层；其中，位于所述浮栅多晶层其中一侧的衬底区域为第一衬底区，所述第一衬底区用于形成源极掺杂区；位于所述浮栅多晶层另一侧的衬底区域为第二衬底区，所述第二衬底区用于形成漏极掺杂区；

在所述第一衬底区上的隧穿氧化层上形成连续的不导电层，所述不导电层延伸至浮栅多晶层侧壁的隧穿氧化层上；

在所述隧穿氧化层上形成多晶硅层，以形成控制栅,作为所述Flash器件的字线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述不导电层形成于所述第一衬底区上的隧穿氧化层上、并延伸至浮栅多晶层上的部分隧穿氧化层上，所述不导电层在所述浮栅多晶层上的末端与所述控制栅在所述浮栅多晶层上的末端相切。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述不导电层与所述控制栅在所述浮栅多晶层上具有重叠区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

形成连续的所述不导电层时所用的光刻掩膜版是源极掺杂区光刻时所使用的光刻掩膜版。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成连续的不导电层的步骤是在所述隧穿氧化层上淀积不导电材料，并采用湿法腐蚀工艺，利用热磷酸腐蚀掉多余的不导电材料，形成连续的所述不导电层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述不导电层为氮化硅层，所述氮化硅层的厚度为300 Å 。

7.一种Flash器件，其特征在于，包括：

衬底；

浮栅多晶层，位于所述衬底上；

浮栅氧化层，位于所述衬底与所述浮栅多晶层之间；

隧穿氧化层，位于所述衬底及所述浮栅多晶层上；所述衬底包括含源极掺杂区的、位于所述浮栅多晶层其中一侧的第一衬底区和含漏极掺杂区的、位于所述浮栅多晶层另一侧的第二衬底区；

不导电层，位于第一衬底区上的隧穿氧化层上、并延伸至浮栅多晶层侧壁的隧穿氧化层上；以及

控制栅，位于第二衬底区的隧穿氧化层上并延伸至浮栅多晶层上的部分隧穿氧化层上。

8.根据权利要求7所述的Flash器件，其特征在于，

所述不导电层位于所述第一衬底区上的隧穿氧化层上、并延伸至浮栅多晶层上的部分隧穿氧化层上，所述不导电层在所述浮栅多晶层上的末端与所述控制栅在所述浮栅多晶层上的末端相切。

9.根据权利要求7所述的Flash器件，其特征在于，

所述不导电层位于所述第一衬底区上的隧穿氧化层上、并延伸至浮栅多晶层上的部分隧穿氧化层上，所述不导电层与所述控制栅在所述浮栅多晶层上具有重叠区域。

10.根据权利要求7所述的Flash器件，其特征在于，

所述Flash器件包括两两并列排布的MOS器件，各MOS器件为权利要求7 所述的Flash器件；

所述第一衬底区为所述两MOS器件之间的衬底区域，所述第二衬底区为所述两MOS器件外侧的衬底区域。